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公开(公告)号：CN104699546A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510111605.2
申请日：2007-11-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种包括存储器系统和管理单元的系统，该管理单元安装于连接到存储器系统的主机，配置为决定存储器系统的状态；该存储器系统包括：半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，控制器，其配置为接收来自管理单元的要求与半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到管理单元以回应第1命令；其中，管理单元配置为使用第1信息和第2信息来计算半导体非易失性存储器的剩余寿命，让显示装置显示该计算出的剩余寿命，控制器配置为进一步接收来自管理单元的第2命令，将第4信息输出到上述管理单元以回应第2命令。
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公开(公告)号：CN102511038A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041759.4
申请日：2010-02-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0868 , G06F2212/1016 , G06F2212/1048 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205 , G06F2212/7208
Abstract: 一种存储器系统，包括：多个存储组，每个存储组包括非易失性第一存储单元和作为所述第一存储单元的缓冲存储器的第二存储单元并能够执行所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的数据传输；以及多个MPU。对所述存储组之一经由所述第二存储单元在所述主机设备与所述第一存储单元之间的数据传输的第一控制和包括其他存储组的所述第一存储单元的维护控制的第二控制被分配给所述MPU以便由所述MPU独立地执行。
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公开(公告)号：CN101689140B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980000136.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明的存储器系统包括：通过采用这样的非易失性半导体存储器和控制器来减少管理表创建所需的存储器的量，所述非易失性半导体存储器包括多个并行操作元件，所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位，所述控制器可以并行驱动所述并行操作元件并具有擦除次数管理单元，所述擦除次数管理单元以与并行驱动的多个物理块相关联的逻辑块为单位管理擦除次数。
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公开(公告)号：CN101681317B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980000143.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1435 , G06F11/1441 , G06F11/1471 , G06F11/1474
Abstract: 本发明提供一种即使在数据写入期间发生程序错误时也可确实地恢复管理信息的存储器系统。在对前日志的“日志写入(1)”之后，当在执行数据写入时发生程序错误(数据写入错误)时，所述存储器系统再次执行所述数据写入而不获取与数据重写处理对应的前日志。在结束所述数据写入之后，所述存储器系统在不产生后日志的情况下获取快照来替代所述后日志，且结束所述处理。
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公开(公告)号：CN101681315A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681311A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000129.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/102 , G06F11/141 , G06F11/1443 , G06F11/1471 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/105 , G11C29/00
Abstract: 一种存储器系统包括易失性第一存储单元、设置有多个能够存储多值数据的存储器基元的非易失性第二存储单元，该存储器基元具有多个页，还包括在主机设备和第二存储单元之间利用第一存储单元进行数据传输的控制器。该控制器包括保存处理单元和损坏信息恢复处理单元，在数据以一次写入方式被写入第二存储单元之前，当数据被写入和被写入了数据的页相同的存储器单元的低阶页时，该保存处理单元备份该低阶页的数据；并且当该低阶页的数据损坏时，该损坏信息恢复处理单元使用所述备份数据恢复所述损坏数据。
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公开(公告)号：CN101681300B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980000142.5
申请日：2009-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F11/1016 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C16/102
Abstract: 公开了一种存储器系统(10)，其包含：具有多个存储器基元的闪速EEPROM非易失性存储器(11)，所述存储器基元具有浮栅极且数据项可在其中电擦除以及写入；缓冲存储器(13)，其临时存储闪速EERPOM非易失性存储器(11)的数据；控制电路(12，14)，其控制闪速EEPROM非易失性存储器(11)和缓冲存储器(13)；接口电路(16)，其与主机通信，其中，控制电路用于从闪速EEPROM非易失性存储器的将被确定的希望目标区域读取数据，并通过将所读取数据的数据“0”的计数值是否达到预设条件计数值用作确定条件来检测被擦除区域，从而确定写入区域/未写入区域。
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公开(公告)号：CN101681315B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号：CN101681312B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000131.7
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0647 , G06F3/065 , G06F3/0652 , G06F3/0685 , G06F11/1456 , G06F11/1469 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F2201/84 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/105
Abstract: 一种存储器系统包括管理信息恢复单元。该管理信息恢复单元参考在NAND存储器中的前日志和后日志来判定是否发生了短时中断。当前日志或后日志存在于NAND存储器中时，该管理信息恢复单元判定发生了短时中断。在这种情况下，管理信息恢复单元判定发生短时中断的时机，并且，在选择前日志或后日志用于恢复之后，管理信息恢复单元执行管理信息的恢复，将这些日志反映在快照上。此后，管理信息恢复单元对NAND存储器中的所有一次写入块应用恢复处理，再次取得快照，并且打开过去的快照和日志。
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公开(公告)号：CN101681314B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200980000133.6
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0866 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F2212/1032 , G06F2212/2022 , G06F2212/7203
Abstract: 一种存储器系统包括：DRAM 20，其以等于或小于簇的单位执行写入和读出；NAND存储器10，其以页单位执行写入和读出，以及管理表群组，在其中存储管理信息，所述管理信息包括存储在DRAM 20和NAND存储器10中的数据的存储位置。当从外部接收到读出请求时，在未被写入的逻辑地址区存在于被请求读出的逻辑地址区所映射到的NAND存储器的存储区中时，数据管理单元120向外部通知与该逻辑地址区相关联的存储在DRAM 20中的固定数据。
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