公开(公告)号：CN1577891A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062185.5

申请日：2004-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  萩尾正博 ,  泽田和幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。

公开(公告)号：CN1506215A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310122078.2

申请日：1999-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今田哲夫 ,  双木茂 ,  泽田和幸 ,  藤冈俊行 ,  东田隆亮 ,  井上守

IPC: B29D17/00

CPC classification number: B29C65/521 ,  B29C65/1406 ,  B29C65/1435 ,  B29C65/1483 ,  B29C65/4845 ,  B29C65/528 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/452 ,  B29C66/71 ,  B29C66/9532 ,  B29C66/9534 ,  B29D17/005 ,  B29L2017/005 ,  G11B7/26 ,  B29K2069/00

Abstract: 一种贴合式光盘的制造方法，包括：(1)用透明树脂来形成在至少一方的单侧主表面上具有凹凸的、一对基板的工序；(2)在具有该凹凸的单侧主表面上形成金属薄膜的工序；(3)使金属薄膜位于内侧地层叠一对基板、并利用供给到基板间的粘接剂将基板接合的工序，工序(1)之后，基板的吸湿量是0.1重量百分比以下，且在对基板进行降温到使成形后的基板与环境的温度差处于5℃以下的待机处理后，实施工序(2)。本发明可抑制制造时及时效性的翘曲发生，制造具有良好平面度的光盘。