公开(公告)号：CN100355073C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1331232C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03127518.4

申请日：2003-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  伊东丰二

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  G11C11/21 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明提供一种电容元件及其制造方法。本发明的电容元件，由形成在基片(11)上的下部电极(15)、铁电薄膜(16)和上部电极(17)构成，其特征在于：铁电薄膜(16)用反应速度法进行成膜，下部电极(15)的膜厚为100nm以下，而且下部电极(15)的膜厚的偏差为10%以内。因此，能提供铁电薄膜成分偏差减小了的电容元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1525553A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007047.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76804 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/90 ,  Y10S438/978

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法采用稳定地形成开口部分的壁面的梯形形状的办法，提高电极和电容绝缘膜的覆盖性。半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体衬底(100)上形成导电膜(103)的工序；形成绝缘膜(104)以便覆盖导电膜(103)的工序；使用具有第1开口图形的掩模，在绝缘膜(104)上形成底部达不到导电膜(103)的孔(104a)的工序；使用具有直径比第1开口图形的直径大的第2开口图形的掩模，在绝缘膜(104)上形成使导电膜(103)露出来的开口部分(104b)的工序。开口部分(104b)的壁面与开口部分(104b)的底面的夹角为钝角。

公开(公告)号：CN1484312A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03127518.4

申请日：2003-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  伊东丰二

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  G11C11/21 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明提供一种电容元件及其制造方法。本发明的电容元件，由形成在基片(11)上的下部电极(15)、铁电薄膜(16)和上部电极(17)构成，其特征在于：铁电薄膜(16)用反应速度法进行成膜，下部电极(15)的膜厚为100nm以下，而且下部电极(15)的膜厚的偏差为10％以内。因此，能提供铁电薄膜成分偏差减小了的电容元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1449045A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03107915.6

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出氧化屏障膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。

公开(公告)号：CN1435877A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03101674.X

申请日：2003-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，首先，在衬底(101)上形成包含由金属氧化物构成的电容绝缘膜(106)的电容元件(108)。接着，在电容元件(108)之上沉积了由氧化硅构成的层间绝缘膜(109A)后，在层间绝缘膜(109A)之上形成电连接电容元件(108)的阻挡膜(110B)。在把形成了阻挡膜(110B)的衬底(101)向之后的步骤输送时的输送期间或输送前后的待机期间，把露出层间绝缘膜(109A)的衬底(101)储存在通过吸湿材料(21)使内部的水分浓度比外部低并设置为可密封的由石英构成的储存容器(20)中。使包含由金属氧化物构成的强电介质的电容绝缘膜的电特性不会由于热处理而从层间绝缘膜放出的水分而劣化。