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公开(公告)号：CN118169097A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410282693.1
申请日：2024-03-13
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料技术领域，具体涉及一种有序的定域纳米结构实现富集检测的制备方法。主要包括以下步骤:1、自组装PS球；2、去球腐蚀；3、电化学沉积；4、PDMS修饰。本发明的定域富集SERS阵列具有制备简便、可重复性强的特点，具有传导表面等离激元的优异性能；Ag7O8NO3是一种多价态Ag的化合物，还原后的Ag具有良好的SERS检测性能；实验步骤简单、制备周期较短；制备成本较低；富集SERS检测可以实现低浓度的SERS检测，为后续单分子检测拓宽了操作空间。
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公开(公告)号：CN116507103A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310481998.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司
IPC: H05K9/00 , C01B32/956 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构金属‑有机纳米片负载碳化硅纳米线材料、其制备方法和应用。涉及到核壳结构材料制备领域，所属方法包括碳化硅纳米线表面均匀吸附双金属离子(Ni2+/Co2+或Ni2+/Zn2+)前驱体，以2‑甲基咪唑为有机诱导分子，在甲醇和水组成的混合溶剂体系中，室温下反应形成双金属‑有机纳米片负载碳化硅纳米线核壳结构材料，随后在空气气氛中对制备的复合材料煅烧得到其衍生物双金属氧化物/碳/SiC纳米线复合材料，该类衍生物材料具有核壳结构，表现出优秀的电磁波吸收性能。该方法具有经济环保、轻质、安全高效、可大量制备等特点。
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公开(公告)号：CN115928004A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211239413.6
申请日：2022-10-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司
Abstract: 一种于柔性衬底上制备纳米结构的方法,包括以下步骤：制备PDMA柔性衬底；在所述PDMA柔性衬底上制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列，得到柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列；制备PVA水溶胶；将所述PVA水溶胶，旋涂至所述柔性衬底上的聚苯乙烯小球阵列，使得聚苯乙烯小球阵列表面覆盖PVA胶；通过等离子清洗聚苯乙烯小球阵列表面覆盖的所述PVA胶进行刻蚀，以减少聚苯乙烯小球阵列表面PVA胶层的厚度，使聚苯乙烯小球不被PVA胶完全覆盖；利用磁控溅射在经过所述刻蚀PVA胶处理后的聚苯乙烯小球阵列表面上沉积银和二氧化硅；用氢氟酸进行表面化学处理，部分去除所述沉积到聚苯乙烯小球表面的二氧化硅，得到柔性衬底上的银纳米结构。
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公开(公告)号：CN113044805B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110181359.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。
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公开(公告)号：CN113046708B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202110181355.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/20 , B22F9/24 , B22F1/054 , G01N21/65 , G01N33/574 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）六方密排聚苯乙烯微球阵列结构制备；（3）球状包覆阵列结构制备；（4）周期性纳米孔洞阵列结构制备；（5）银纳米周期阵列制备；（6）纳米阵列结构；本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224063B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910410776.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及信息储存技术领域，具体涉及一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：用于承载所述元件衬底；设置于衬底上方的第一电极；由重金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成的异质结构层；以及形成于异质结构层上方的第二电极。在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加外加电场，能够实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。本发明克服了现有技术中的自旋轨道转矩驱动器件通过电流或电压调控的磁矩反转过程是易失的这一缺陷，而本发明的磁矩反转过程是非易失性的，当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态会继续存在。本发明中使用的调节电压为低电压，调控过程中不会产生大量的能量损耗，有利于器件的节能化。
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公开(公告)号：CN114315416B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111671267.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种连环纳米锥周期性阵列制备方法。本发明通过将二氧化硅胶体球自组装技术、等离子刻蚀技术与物理沉积技术相结合，制备出一种新颖的连环纳米锥周期性阵列，该制备方法可以通过改变胶体球的尺寸、等离子刻蚀时间和沉积金属厚度得到不同尺寸的连环纳米锥周期性阵列，且此制备方法较为简单，制备出的连环纳米锥周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的优点，能够有效地被大规模复制应用。
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公开(公告)号：CN114318227A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111643180.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣纳米片周期性阵列制备方法，通过将胶体球模板、物理沉积技术以及光照催化相结合，从而能够更加容易的设计，片状、线状、多层以及具有更大比表面积和更小尺度缝隙的图纹化基底，有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度和基底的催化效率，得到的花瓣纳米片周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有强的局域表面等离激元和大的表面积优异性能。
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公开(公告)号：CN114249325A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111580591.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米腔的方法，本发明采用自组装方法制备的高度有序的聚苯乙烯小球阵列，放入等离子体清洗机中刻蚀，利用磁控溅射在聚苯乙烯小球阵列表面溅射50～200nm的金属，取下聚苯乙烯小球阵列，将纳米孔阵列放入盛有NaOH溶液的烧杯中刻蚀；本发明与块状结构相比，硅纳米结构在性能上有其优越性，研究显示，硅在紫外光范围内同样具有局域表面等离子激元效应，能达到类似贵金属(金、银)纳米结构的增强效果，在光电器件的制备，表面增强拉曼检测等方面效果显著。本发明制备得到了一种图案化硅纳米结构。该制备方法的创新性在于可以对硅纳米结构的尺寸、间隙等方面进行很方便的控制。进而研究其光电效应。
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公开(公告)号：CN114231928A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111578765.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种环状阶梯纳米结构的制备方法，本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，利用磁控溅射进行镀膜，最后用离子束对金属膜进行多次不同程度的轰击，由于相邻球的阴影效应最终可以得到具有环状热点的多级纳米结构。本发明采用了较为简单的离子束刻蚀技术制备具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。本发明通过改变一次刻蚀和二次刻蚀的角度来形成具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。
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