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公开(公告)号:CN109037321B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201810647726.2
申请日:2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结;沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成;源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带;沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下,沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带,区域态密度为0,起到抑制关态电流的作用;开态情况下,沟道内有电流,沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带,沟道一段内无带隙,促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应,提升开态电流。
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公开(公告)号:CN110191572A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910469187.2
申请日:2019-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明公开一种实现超宽带抑制同步开关噪声的电磁带隙结构。电磁带隙结构是在电源平面每边刻蚀有一矩形缺口,该缺口的底部中点引出一条微带线;所述微带线沿逆时针方向围绕电源平面至其下一条边的末端,且该条微带线位于“下一条边”部分将此边矩形缺口引出的微带线位于该边部分包围;同时该条微带线与相邻结构单元微带线相连构成S型;电源平面的中心区域镂空,内嵌一个方形平面板;方形平面板的四边的中心分别刻蚀一长方形缺口,该长方形缺口的底部中点引出一条微带线与电源平面相连。本发明更好地降低噪声抑制的下截止频率,且有效增大噪声抑制的带宽范围,从而实现对电源平面与地平面之间的同步开关噪声的超宽带抑制。
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公开(公告)号:CN110108949A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201910389143.9
申请日:2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器。包括底层被刻蚀了一对CSRR槽环的金属薄片,中间层的PCB板,顶层微带线;整个微带线结构两端伸出馈电长脚用于连接SMA连接头,中间一段微带线带有两个金属补丁,两个金属补丁分别耦合底层的两个CSRR槽环;槽环具有两个敏感区域,其中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大区域,该区域放置待测样品用于测量样品磁导率;内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大区域,该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。该传感器具备同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的功能,不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能,而且结构简单、实用性很强。
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公开(公告)号:CN109309484A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201811240842.9
申请日:2018-10-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H7/06
Abstract: 本发明公开了针对差分硅通孔传输通道的无源均衡器及其设计方法。有源均衡器限制了系统带宽,接口能量损耗多。本发明无源均衡器的第一无源均衡器包括第一金属线以及连接在第一金属线两端的第一连接线和第二连接线;第二无源均衡器包括第二金属线以及连接在第二金属线两端的第三连接线和第四连接线;第一金属线和第二金属线均呈平面上的螺旋线。本发明设计方法首先利用制造工艺信息计算第一金属线和第二金属线的电学参数,包括目标电阻和目标电感,然后利用一组闭式数学表达式和多目标优化函数求得结构参数。本发明有效解决数字差分信号传输系统中存在的码间串扰问题,使传输频带变得平坦,有效提高了高速数字信号的传输质量,设计方法效率高。
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公开(公告)号:CN106449592B
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201610708670.8
申请日:2016-08-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种高品质因数的差分电感器结构及其制作工艺。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中,将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧,且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽,减小硅基底损耗。利用圆环内的硅通孔阵列构造三维差分电感器,差分电感内部的耦合(金属层和重新布局层中的金属线中的电流流向两两异向)和较小的有效面积将提高电感值。
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公开(公告)号:CN113251961B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202110455636.5
申请日:2021-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合微带线的微波位移传感器,其包括定子和动子;定子包括三层:顶层由四条长方形的耦合微带线组成;中间层为介质板;底层为金属薄片,底层设于中间层的下表面;四条耦合微带线分为两组,两组耦合微带线并排平行且对称布设于中间层的上表面,同一组耦合微带线中的两条微带线之间存在间隙,两组耦合微带线之间保持间距;动子能沿定子的长度方向移动,动子包括两层:上层为介质板,下层为方形金属补丁,下层设于上层的下表面,下层方形金属补丁的两端分别电接触两组耦合微带线处于内侧的两条耦合微带线。采用本发明技术方案,其使得测量待测物体偏移原来位置的位移量的结果更加精确。
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公开(公告)号:CN113128154B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202110427767.2
申请日:2021-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限元方法及系统,其方法包括如下步骤:S1、几何模型的空间离散化;S2、网格单元的构造及应用;S3、利用Nedelec边缘基空间将电流密度模型在网格单元相邻段的中心进行插值得到电流密度;S4、单元矩阵方程的构造;S5、通过对求解域中的所有网格单元进行遍历,得到系统矩阵方程。相较于FBSG方法,本发明对空间网格质量要求更低,从而使得收敛性更好;相较于SUPG方法,本发明在迎风函数的多维应用方面进行了优化;相较于FVFEM‑SG方法,本发明在定义人工扩散系数方面更具灵活性。
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公开(公告)号:CN114354653A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202111576931.2
申请日:2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N22/00
Abstract: 本发明公开了基于改进开口谐振环的高灵敏度微波微流控传感器,具有三层结构,顶层包括两条微带线、金属片、IDC‑SRR结构及SMA连接头,微带线具有输入端口与输出端口,且输入端口与输出端口分别连接SMA连接头,SMA连接头与矢量网络分析仪相连通,IDC‑SRR结构上置有一个内部形成微流体通道的PDMS;中间层包括具有四个金属通孔的介质板;底层包括金属薄片、两条微带线及SRR结构,金属薄片中间形成刻蚀区;四个金属通孔连通顶层与底层;SRR结构一端通过两个金属通孔连接顶层的IDC‑SRR的交指电容,另一端通过另外两个金属通孔连接顶层的金属片。该传感器灵敏度高、测量范围宽,检测误差小,保证检测结果。
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公开(公告)号:CN114235849A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111575827.1
申请日:2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,为双端口器件;具有顶层、中间层及底层;顶层包括一条微带线、两个50欧姆的电阻元件及两个SMA连接头,微带线有两个缺口处,缺口处均由50欧姆电阻元件焊接,微带线具有一个输入端口与一个输出端口,输入端口与输出端口均与微带线连接,且输入端口与输出端口分别用于连接SMA连接头,SMA连接头与矢量网络分析仪相连通;中间层是介质板;底层包括改进缺陷地结构,改进缺陷地结构包括螺旋线与DGS结构,螺旋线与DGS结构边缘之间有一个正方形环,在DGS结构中间有一个螺旋线结构,螺旋线结构上面置有一个内部形成有微流体通道的PDMS。该传感器灵敏度高、测量范围宽,检测误差小。
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公开(公告)号:CN111077170B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN201911364213.1
申请日:2019-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器。本发明从上到下依次包括共面波导传输线、介质层、电磁带隙结构,其中电磁带隙结构为周期性结构,各单元结构之间通过微带线连接。所述微流体通道置于电磁带隙结构的下侧,并采用分支路的方式,分别覆盖电磁带隙单元结构左右两侧的缝隙,各分支路分别汇聚于上下两端口,液体样品在其中一个端口用针孔注入,再从另一端口流出。本发明结构采用电磁带隙结构为基础,其微流通道被设计为多个分流支路,明显增加了围绕电场的路径,改善了目前微流体传感器灵敏度较低且质量因子Q值较低的情况,提高了灵敏度,同时具有较高的Q值,保证了测量的高分辨率和精确度。
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