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公开(公告)号:CN114185390A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111491540.0
申请日:2021-12-08
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电压源电路、集成电路和电子设备,涉及模拟电路的技术领域,为解决现有技术中带隙基准电压源电路的电源抑制比较低,功耗较高而发明。耦合元件将来自电路输入端的交流电信号耦合至镜像电流模块。镜像电流模块在来自带隙基准源模块的电信号的控制下开启,并根据来自电路输入端的电信号、来自带隙基准源模块的电信号和来自耦合元件的交流电信号,向带隙基准源模块输入直流电信号。来自耦合元件的交流电信号用于对来自带隙基准源模块的电信号进行补偿。带隙基准源模块根据来自镜像电流模块的直流电信号,使电路输出端的输出电压位于预设基准电压范围内。本发明提供的带隙基准电压源电路用于输出在预设基准电压范围内的电压。
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公开(公告)号:CN217588939U
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202221673105.X
申请日:2022-06-30
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/225
Abstract: 本实用新型公开了一种图像传感器、摄像头组件和电子设备,涉及图像传感器的技术领域,为解决图像传感器对于光线的吸收率较低而发明的实用新型。图像传感器包括半导体衬底,多个光电二极管设置在半导体衬底内。任一个光电二极管具有受光面,光电二极管用于将光信号转换为电信号。电路结构层设置在半导体衬底远离受光面的一侧,电路结构层包括层间介质,以及嵌入在层间介质中的多层金属布线和至少一个吸光元件。任一层金属布线与任一个光电二极管电连接。吸光元件在半导体衬底上的垂直投影,与至少一个光电二极管在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。本实用新型提供的图像传感器用于将光信号转换为电信号。
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公开(公告)号:CN217588937U
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202221460746.7
申请日:2022-06-10
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/225
Abstract: 本实用新型公开了一种像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备,涉及图像传感器的技术领域,解决相关技术中像素单元对于波长较长的入射光的吸收率较低,并且相邻两个像素单元之间容易发生光串扰的技术问题。像素单元包括光电二极管,光电二极管具有受光面。电路结构层设置在半导体衬底远离受光面的一侧。电路结构层包括嵌入在层间介质中的多层金属布线和一个聚光结构。多层金属布线与光电二极管电连接。聚光结构在半导体衬底上的垂直投影与光电二极管在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。至少部分聚光结构的光折射率大于层间介质的光折射率,并且不大于半导体衬底的光折射率。本实用新型提供的像素单元用于将光信号转换为电信号。
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公开(公告)号:CN216624292U
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202123437530.7
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括第一导电类型衬底、光电二极管、反射层及第二注入区。第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面;第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧;第一注入区位于第一导电类型衬底中并自第一导电类型衬底的第二表面外露;所述第一注入区的材料为第二导电类型材料;反射层位于第一注入区背离第一导电类型衬底第二表面的一侧;第二注入区位于第一导电类型衬底中并位于第一注入区外围,第二注入区的材料为第一导电类型材料。该结构通过在第一注入区背离第一导电类型衬底第一表面的一侧设置反射层,有利于增加部分入射光的吸收路径,有利于提高光生载流子的产生效率。
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公开(公告)号:CN217062113U
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202123425476.4
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的第一导电类型衬底;光电二极管还包括第一、二导电注入层、电极线、第一连通孔及第三注入区,第一、二导电注入层位于第一导电类型衬底中并分别自第一导电类型衬底的第一表面、第二表面外露,第一、二导电注入层的材料均为第二导电类型材料,电极线设于第一导电类型衬底第二表面的外侧,电极线包括与第二注入区电连接的第一电极线;第一连通孔内设有连接第一注入区和第一电极线的第一电连接柱;第三注入区位于第一导电类型衬底中并位于第二注入区外围,第三注入区的材料为第一导电类型材料。该结构有利于提高光生载流子的收集效率。
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公开(公告)号:CN216958037U
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202123084722.4
申请日:2021-12-09
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供放射线探测器像素和像素阵列、放射线探测器及检测装置。该放射线探测器像素,包括半导体衬底、光电二极管、闪烁体以及反射层。光电二极管设置于半导体衬底内,光电二极管具有感光面。闪烁体设置于光电二极管的感光面所在的一侧,且与光电二极管的位置对应。闪烁体具有相对设置的第一表面和第二表面。第一表面靠近光电二极管,第二表面远离光电二极管。其中,第一表面沿第一方向具有第一长度L1。第二表面沿第一方向具有第二长度L2,L1<L2。在较大间隔和间隔之间的反射层的共同作用下,闪烁体产生的可见光不容易进入到相邻放射线探测器像素的光电二极管的感光面中,从而减少或避免产生光串扰。
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