公开(公告)号：CN117403320A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310836230.0

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  森博隆 ,  里村隆幸 ,  高木茂行

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体晶圆的制造装置中，基座(50)被设为具有一面(50a)及另一面(50b)的板状，以一面(50a)侧位于反应室(20a)侧并且另一面(50b)侧位于中空室(41a)侧的方式配置于筒部(41)，在一面(50a)侧形成有收容基础晶圆(10)的凹部(51)，凹部(51)被设为在侧面(51b)和基础晶圆(10)之间形成间隙(S1)的大小，在底部(51a)形成有贯通该底部(51a)的贯通孔(54a、54b)，中空室(41)调整从惰性气体用排气管排出的惰性气体的量，以使压力为反应室的压力以上且为规定的压力以下。

公开(公告)号：CN118256990A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311788942.6

申请日：2023-12-25

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67 ,  H01L21/04

Abstract: 在碳化硅晶圆的制造装置中，冷却部(40)能够将分离空间(201)冷却为400℃以下，供给管(51～53)具有：掺杂气体用供给管(51)，被供给反应气体中包含的氨系气体；生长气体用供给管(53)，被供给包括反应气体中包含的硅烷系气体和氯系气体的生长气体；以及惰性气体用供给管(52)，向分离空间(201)中的、被供给氨系气体的部分与被供给氯系气体的部分之间供给反应气体中包含的惰性气体。

公开(公告)号：CN114941134A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210131974.8

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤林裕明 ,  小出雄也 ,  森博隆

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置(53)、第一检测器(55)和第二检测器(56)。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底(100)处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域(102)的状态。第二检测器检测衬底的第二区域(103)的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。

公开(公告)号：CN103160922A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210544538.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美 ,  藤林裕明 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。