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公开(公告)号：CN112334607A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
Abstract: 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN112626618B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN110192266A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN101802273B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880106397.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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公开(公告)号：CN101802273A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106397.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320762A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN114351253B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111193447.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
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公开(公告)号：CN103320762B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN114351253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111193447.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
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