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公开(公告)号：CN108182951A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711284415.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN115715139A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210224956.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H10N30/076 , H10N30/06 , H03H3/02
Abstract: 提供结晶性高的层叠体的制造方法。一种层叠体的制造方法，是制造以AlN为主成分的层叠体的方法，其特征在于，包含：在基板(210)上形成由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)的工序；和在电极层(230)之上通过溅射而形成以AlN为主成分的压电层(240)的工序，在形成压电层(240)的工序中，在进行溅射时，对靶施加脉冲电压，将占空比设为4％以下，将施加脉冲时的平均功率密度设为200W/cm2以上且2500W/cm2以下。
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公开(公告)号：CN108231092A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711376704.9
申请日：2017-12-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN107068168A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161241.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时，满足Kui＞Kui+1(i＝1，2)、Msi·ti＞Msi+1·ti+1(i＝1，2)、Kui＜Kui+1(i＝3)及Msi·ti＜Msi+1·ti+1(i＝3)的关系。
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公开(公告)号：CN105632520A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510818080.6
申请日：2015-11-23
Applicant: 昭和电工株式会社 , 日本原子力研究开发机构
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
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