-
公开(公告)号：CN103430332A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013022.0
申请日：2012-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供以均匀的膜厚形成保护膜及其上的电极膜的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在上部具有平坦部和台面型结构部，该台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，平坦部和台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，倾斜侧面通过湿式蚀刻形成，且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部的至少一部分、倾斜侧面、顶面的周缘区域，并且俯视在周缘区域的内侧具有将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是以与从上述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于上述平坦部上的保护膜的一部分，在上述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。
-
公开(公告)号：CN102725871A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007108.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
-
公开(公告)号：CN102598318A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
-
公开(公告)号：CN103430332B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201280013022.0
申请日：2012-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供以均匀的膜厚形成保护膜及其上的电极膜的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在上部具有平坦部和台面型结构部，该台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，平坦部和台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，倾斜侧面通过湿式蚀刻形成，且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部的至少一部分、倾斜侧面、顶面的周缘区域，并且俯视在周缘区域的内侧具有将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是以与从上述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于上述平坦部上的保护膜的一部分，在上述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。
-
公开(公告)号：CN103238222B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180058299.0
申请日：2011-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供兼具高速响应性和高输出性的发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明涉及的发光二极管、发光二极管灯和照明装置，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为（InX1Ga1‑X1）As（0≤X1≤1）的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（AlX2Ga1‑X2）As（0≤X2≤1）的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、以及夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在发光部上形成的电流扩散层；和与电流扩散层接合的功能性基板，第1和第2覆盖层由组成式为（AlX3Ga1‑X3）Y1In1‑Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）的化合物半导体构成，在以一个阱层和一个势垒层为一对的对层的情况下，对层数为5以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103999246A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062289.9
申请日：2012-12-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供一种保护膜及在其上方形成的电极膜以均匀膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，保护膜具有配置在俯视为周缘区域的内侧且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是形成为与从通电窗露出来的化合物半导体层的表面相接触，并且覆盖在平坦部上形成的保护膜的一部分，在顶面上具有光射出孔的连续膜，透明膜形成在反射层与化合物半导体层之间，在透明膜内、与光射出孔重叠的范围内贯穿地设有贯通电极。
-
公开(公告)号：CN103238222A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058299.0
申请日：2011-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供兼具高速响应性和高输出性的发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明涉及的发光二极管、发光二极管灯和照明装置，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、以及夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在发光部上形成的电流扩散层；和与电流扩散层接合的功能性基板，第1和第2覆盖层由组成式为（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）的化合物半导体构成，在以一个阱层和一个势垒层为一对的对层的情况下，对层数为5以下。
-
公开(公告)号：CN102725870A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007106.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
-
公开(公告)号：CN102598319A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051487.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/73265
Abstract: 提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
-
公开(公告)号：CN203055975U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220353364.4
申请日：2012-07-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
Abstract: 提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜和在其上形成的电极膜、并且光取出效率高的发光二极管。本实用新型的发光二极管，包括：具有上表面（6a）和侧面（6b）的支持结构部（6）、和配置于该支持结构部（6）上并具有倾斜侧面（7a）和顶面（7b）的台面型结构部（7），倾斜侧面（7a）通过湿式蚀刻而形成，保护膜8具有俯视时位于周缘区域（7ba）的内侧、且配置于光射出孔（9b）的周围，将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗（8b），第1电极膜（9）是以与从通电窗8b露出的化合物半导体层的表面接触，并且覆盖在上表面（6a）上形成的保护膜（8）的一部分，在台面型结构部7的顶面（7b）上具有光射出孔（9b）的方式形成的连续膜，在基板（1）的背面（1A）具有第2电极膜（10）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.03 seconds)
