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公开(公告)号：CN101553604B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200780044779.5
申请日：2007-10-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/066 , C30B35/002
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10-6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。
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公开(公告)号：CN102057084B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980120925.7
申请日：2009-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , Y10T428/24273 , Y10T428/263 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
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公开(公告)号：CN101006015A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027268.3
申请日：2005-08-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供吸附水含量的波动减小的高纯度超微粒二氧化钛，该吸附水含量是微粒粉末体中一个重要的质量波动因素。所述微粒二氧化钛具有的BET比表面积为10～200m2/g，其中当将其量为2～5g的所述二氧化钛粉末铺展于直径10cm的玻璃制陪替氏培养皿中至均匀厚度以及在20℃和80％相对湿度的环境下静置5小时时，以静置之前质量计的质量变化率是－5质量％至5质量％。制备微粒二氧化钛的方法包括使用氧化气体高温氧化含四氯化钛的气体以产生二氧化钛粉末的第一步，以及在加热炉中转动该粉末的同时将水蒸汽与所述二氧化钛粉末接触由此实现脱氯以及同时增加吸附水的第二步。
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公开(公告)号：CN1414925A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00817898.4
申请日：2000-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F7/02 , C01F7/306 , C01P2002/02 , C01P2002/60 , C01P2004/50 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/90 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及通过气相法由氯化铝制备的氧化铝粒子，该粒子是无定型或者过渡氧化铝粒子，结晶型例如是无定型、γ、δ、θ的任意一种或者它们的混合型，并且平均一次粒径为5～100nm，一次粒子凝聚的平均二次粒径为50～800nm大氧化铝粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1371339A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN00812053.6
申请日：2000-08-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01G9/03
CPC classification number: B82Y30/00 , C01G9/03 , C01P2004/64 , C09C1/043
Abstract: 本申请公开了一种由用BET一点法测定的比表面积换算的平均粒径为15nm或以上、55nm或以下,用亨特式色差计显示的L值为90以上的、粒子形状为四脚状或针状的微粒状的高白色氧化锌。此外,本申请还公开了一种通过在含有锌蒸气的气体的喷出口的温度为950℃或以上,而且氧化性气体的喷出口的温度在900℃或以上的反应器内,用氧化性气体使锌蒸气氧化来制造微粒状的高白色氧化锌的方法。
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公开(公告)号：CN102630257B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080053810.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/025
Abstract: 本发明的碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。
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公开(公告)号：CN102057084A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980120925.7
申请日：2009-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , Y10T428/24273 , Y10T428/263 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
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公开(公告)号：CN101124165A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005537.0
申请日：2006-02-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B82Y30/00 , C01G23/07 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , H01G9/2031 , H01M4/9016 , H01M14/005 , Y02E10/542
Abstract: 二氧化钛，通过场致发射型扫描电子显微镜观察初级粒子而测得的最大粒径D最大与平均粒径D50之间的比率D最大/D50为1至3。该二氧化钛的制造方法包括进行使含四氯化钛的气体与氧化气体反应以产生二氧化钛的气相法，其中当通过将含四氯化钛的气体与氧化气体引入反应管而使每种气体反应时，反应管中的温度为1050至小于1300℃。
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公开(公告)号：CN100341790C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200380107611.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: A61K8/25 , A61K8/29 , A61Q1/02 , A61Q17/04 , A61Q19/00 , B01J21/063 , B01J35/004 , B01J37/0238 , C01G23/00 , C01G23/003 , C01G23/07 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C08K3/36 , C09C1/36 , C09C1/3653 , C09D7/62 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , Y02T10/7022
Abstract: 一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法，该方法包括在加热至600℃或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600℃或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末，将所获得的粉末加热到300至600℃以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量%或更低，然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。
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