公开(公告)号：CN102630257A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053810.3

申请日：2010-10-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 增田隆 ,  小古井久雄 ,  桥本胜彦

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明的碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。

公开(公告)号：CN102630257B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080053810.3

申请日：2010-10-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 增田隆 ,  小古井久雄 ,  桥本胜彦

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明的碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。