公开(公告)号：CN108305645B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108305645A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/731 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/725 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108182951A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711284415.6

申请日：2017-12-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/706 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。

公开(公告)号：CN108231092B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201711376704.9

申请日：2017-12-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/706 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。

公开(公告)号：CN108182951B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201711284415.6

申请日：2017-12-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/706 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。

公开(公告)号：CN108346437A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810039987.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。