公开(公告)号：CN101263583B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200680033059.4

申请日：2006-08-17

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 竹宫聪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同时抑制绝缘层的二氧化硅的研磨，因而能够获得被高度平坦化了的具有多层结构的半导体集成电路装置的研磨剂。本研磨剂包含磨粒(A)，选自苯并三唑类、1H-四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60mPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。

公开(公告)号：CN101663738A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012615.9

申请日：2008-04-07

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 竹宫聪 ,  伊藤启一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂组合物，所述研磨剂组合物用于研磨半导体集成电路装置的待研磨表面。所述研磨剂组合物包含：二氧化硅粒子，选自由过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组中的一种或多种氧化剂，由式(1)表示的化合物，支链淀粉，选自由硝酸、硫酸和羧酸组成的组中的一种或多种酸，和水，并且pH在1～5的范围内。根据本发明，在半导体集成电路装置的制造方法中，在待研磨表面的研磨中，能够获得具有埋设的金属互连的绝缘层的平坦表面。另外，能够获得具有高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN101263583A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033059.4

申请日：2006-08-17

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 竹宫聪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同时抑制绝缘层的二氧化硅的研磨，因而能够获得被高度平坦化了的具有多层结构的半导体集成电路装置的研磨剂。本研磨剂包含磨粒(A)，选自苯并三唑类、1H－四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60MPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。

公开(公告)号：CN104979184A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510176570.0

申请日：2012-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205 ,  C09K3/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10

CPC classification number: C09G1/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。

公开(公告)号：CN103857765A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280049471.0

申请日：2012-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: C09K3/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。

公开(公告)号：CN103782370A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043222.0

申请日：2012-08-23

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨，得到平滑的表面。本发明提供一种研磨剂，其中含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、平均二次粒径为0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介质；所述氧化剂的含有比例为0.25质量％以上5质量％以下，且所述二氧化硅粒子的含有比例为0.01质量％以上且小于20质量％。

公开(公告)号：CN103503118A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020737.9

申请日：2012-05-28

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。

公开(公告)号：CN101689493A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021284.5

申请日：2008-06-16

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 竹宫聪 ,  吉田伊织

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 根据本发明，能够在半导体集成电路装置制造中的被研磨面的研磨中，得到具有埋设金属布线的绝缘层的平坦表面。另外，能够得到具有高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。本发明提供一种研磨用组合物，其为用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学机械研磨用组合物，该组合物含有氧化剂、磨粒、脂环族树脂酸、碱性化合物和无机酸，并且pH在8～12的范围内，所述氧化剂是选自由过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组中的一种以上物质。

公开(公告)号：CN100468647C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580006988.1

申请日：2005-03-07

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 竹宫聪 ,  真丸幸惠

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。还可以含有(D)氧化剂以及(E)式(1)所示的化合物，其中，R为氢原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或者羧基。

公开(公告)号：CN1306562C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02820724.6

申请日：2002-10-23

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 竹宫聪 ,  中泽伯人 ,  金喜则

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 使苯并三唑等的杂环苯化合物溶解于选自碳原子数为1-4的伯醇、碳原子数为2-4的二醇、式2所示的醚(m为1-4的整数)，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯及碳酸亚丙基酯中的1种以上中，并和构成磨粒的氧化物微粒的水分散液混合而制得研磨剂。在研磨由形成在绝缘膜2上的配线金属膜4和阻挡膜3构成的基板时，通过使用该研磨剂，可研磨速度高形成凹陷少、磨耗少、划痕少的埋入配线5。