研磨剂组合物和制造半导体集成电路装置的方法

    公开(公告)号:CN101663738A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200880012615.9

    申请日:2008-04-07

    CPC classification number: H01L21/3212 C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/31053

    Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂组合物,所述研磨剂组合物用于研磨半导体集成电路装置的待研磨表面。所述研磨剂组合物包含:二氧化硅粒子,选自由过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组中的一种或多种氧化剂,由式(1)表示的化合物,支链淀粉,选自由硝酸、硫酸和羧酸组成的组中的一种或多种酸,和水,并且pH在1~5的范围内。根据本发明,在半导体集成电路装置的制造方法中,在待研磨表面的研磨中,能够获得具有埋设的金属互连的绝缘层的平坦表面。另外,能够获得具有高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。

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