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公开(公告)号：CN102034911A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010225068.1
申请日：2010-07-05
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/10
Abstract: 一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，其具有第一传导类型的第一包覆层、具有传导类型不同于第一包覆层的第二传导类型的第二包覆层以及夹在第一包覆层和第二包覆层之间的有源层；反射部，其用于反射从有源层发出的光，所述反射部设置在半导体衬底和发光部之间并且具有1.7μm至8.0μm的厚度；电流扩散层，其设置在发光部的与反射部相对的一侧上，并且在其表面上具有凹凸部，其中形成反射部以具有至少三个成对的层，所述成对的层是由第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层形成的。
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公开(公告)号：CN100502072C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710182342.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层(2、3)和活性层(4)的半导体发光元件(1)中，在第一导电型包覆层(2)与活性层(4)之间、在活性层(4)与第二导电型包覆层(3)之间，分别设置对上述光线是透明的，且带隙比活性层(4)大，并与活性层晶格匹配的多层膜层(9、10)。
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公开(公告)号：CN101308899A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810107826.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其在维持发光输出的同时，还能降低正向电压且可靠性优异。半导体发光元件具备Si衬底(1)、金属密合层(2)、反射金属层(3)、SiO2膜(4)、欧姆接触接合部(5)、含有Mg掺杂的GaP层(6A)和Zn掺杂的(6B)的GaP层(6)、p型GaInP中间层(7)、p型AlGaInP包覆层(8)、未掺杂多重量子阱活性层(9)、n型AlGaInP包覆层(10)、n型AlGaInP窗口层(11)、n型GaAs接触层(12)、第1电极(13)、第2电极(14)，其中，由包覆层(8)、活性层(9)、包覆层(10)构成的发光部与欧姆接触接合部(5)相距300nm以上。
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公开(公告)号：CN1941445A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103311096A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310057414.3
申请日：2013-02-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种生长的重现性高、能抑制氮化物半导体层的结晶性劣化且缩短制造时间的氮化物半导体的制造方法。该氮化物半导体的制造方法具备如下工序：在生长装置内安装由蓝宝石或碳化硅构成的衬底基板的准备工序、在所述生长装置内安装有所述衬底基板的状态下清洗所述生长装置内部的清洗工序、以及在所述清洗工序之后连续地在所述衬底基板上依次生长缓冲层和氮化物半导体层的生长工序，在900℃以上1200℃以下的温度范围内实施所述清洗工序，在900℃以上的温度范围内实施所述生长工序中的所述缓冲层的生长。
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公开(公告)号：CN101308899B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810107826.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其在维持发光输出的同时，还能降低正向电压且可靠性优异。半导体发光元件具备Si衬底(1)、金属密合层(2)、反射金属层(3)、SiO2膜(4)、欧姆接触接合部(5)、含有Mg掺杂的GaP层(6A)和Zn掺杂的(6B)的GaP层(6)、p型GaInP中间层(7)、p型AlGaInP包覆层(8)、未掺杂多重量子阱活性层(9)、n型AlGaInP包覆层(10)、n型AlGaInP窗口层(11)、n型GaAs接触层(12)、第1电极(13)、第2电极(14)，其中，由包覆层(8)、活性层(9)、包覆层(10)构成的发光部与欧姆接触接合部(5)相距300nm以上。
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公开(公告)号：CN1976074A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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