氧化铝烧结体及光学元件用基底基板

    公开(公告)号:CN108025981A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680050865.6

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5%以上,且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下,该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱,利用Lotgering法而求出的,用D-SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm,结晶粒径为15~200μm,在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时,直径0.2~1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时,在波长300nm~1000nm处的直线透过率较高,透明性优异。

    透明氧化铝烧结体的制法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107074659A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580048144.7

    申请日:2015-11-20

    Abstract: 本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序:(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上,将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型,制成成型体;(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成,由此得到透明氧化铝烧结体。

    板状氧化铝粉末的制法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107074574B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201680002585.8

    申请日:2016-09-27

    Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下:将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中,进行热处理,由此,得到板状的α-氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ-氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量%以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750~1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。

    取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材

    公开(公告)号:CN111278792A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201880055098.7

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序:(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体;和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内,一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成,从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后,载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装,以200kg/cm2进行等静压压制后,脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

    电介质组成物及电介质膜元件

    公开(公告)号:CN1919790A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:CN200510092940.9

    申请日:2005-08-24

    Abstract: 本发明涉及提供电子发生元件中能够改善电子放出量随时间恶化的电介质组成物。本发明的电介质组成物,以PbxBip(Mgy/3Nb2/3)aTib-zMzZrcO3(0.95≤x≤1.05,0.02≤p≤0.1,0.8≤y≤1.0,且a、b、c是在(0.550,0.425,0.025),(0.550,0.150,0.300),(0.100,0.150,0.750),(0.100,0.525,0.375),(0.375,0.425,0.200)的5个点所包围的范围内的小数。还有,0.02≤z≤0.10,M是从Nb、Ta、Mo、W中选择的至少一种。)所表示的PMN-PZ-PT三成分固溶系组成物为主要成分,并且含有的Ni的量换算成NiO的含量为0.05~2.0重量%。

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