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公开(公告)号：CN104867969A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510175983.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: 在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
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公开(公告)号：CN101253633B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680032093.X
申请日：2006-08-22
IPC: H01L29/51 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/049 , H01L21/31666 , H01L29/1608 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。
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公开(公告)号：CN106489203A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580035522.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 日产自动车株式会社
Inventor： 谷本智
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/645 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H05K1/0209 , H05K2201/066 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 模块(1)具备：绝缘基板(15)、功率半导体装置(13HT)、功率半导体装置(13LT)、桥式端子(14B)、高侧端子(14H)、低侧端子(14L)。桥式端子在功率半导体装置(13HT)、(13LT)之间从表面配线导体(12B)延伸。高侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从高侧背面配线导体(17H)延伸。低侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从低侧背面配线导体(17L)延伸。功率半导体装置(13HT)的表面电极及功率半导体装置(13LT)的背面电极与表面配线导体(12B)连接。
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公开(公告)号：CN101635313A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910163147.1
申请日：2008-03-14
Applicant: 日产自动车株式会社
Inventor： 谷本智
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的TDDB的寿命的MOS型SiC半导体装置。该半导体装置包括MOS(金属氧化物半导体)结构，MOS结构具有碳化硅(SiC)衬底、多晶硅栅电极、插入在SiC衬底与多晶硅栅电极之间的且通过热氧化SiC衬底的表面所形成的栅极氧化膜、以及与SiC衬底电接触的欧姆触点。该半导体装置还包括通过氧化多晶硅栅电极的表面所形成的多晶硅热氧化膜。栅极氧化膜的厚度为20nm或更薄，优选为15nm或更薄。
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公开(公告)号：CN101253633A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032093.X
申请日：2006-08-22
IPC: H01L29/51 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/049 , H01L21/31666 , H01L29/1608 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107155372B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201480083659.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 日产自动车株式会社
Inventor： 谷本智
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/07 , H02M7/00
Abstract: 半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15，绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。
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公开(公告)号：CN106489203B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201580035522.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 日产自动车株式会社
Inventor： 谷本智
Abstract: 模块(1)具备：绝缘基板(15)、功率半导体装置(13HT)、功率半导体装置(13LT)、桥式端子(14B)、高侧端子(14H)、低侧端子(14L)。桥式端子在功率半导体装置(13HT)、(13LT)之间从表面配线导体(12B)延伸。高侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从高侧背面配线导体(17H)延伸。低侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从低侧背面配线导体(17L)延伸。功率半导体装置(13HT)的表面电极及功率半导体装置(13LT)的背面电极与表面配线导体(12B)连接。
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公开(公告)号：CN107155372A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201480083659.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 日产自动车株式会社
Inventor： 谷本智
Abstract: 半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15，绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。
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公开(公告)号：CN101981702A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110742.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: 在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
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公开(公告)号：CN101981702B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN200980110742.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: 在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
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