公开(公告)号：CN111744462A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010226786.4

申请日：2020-03-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 谷口博昭 ,  窪寺俊 ,  孙军

IPC: B01J20/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下，将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去，从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂，是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂，该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲 基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。

公开(公告)号：CN109790414A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061137.X

申请日：2017-10-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 谷口博昭 ,  中岛诚 ,  远藤勇树 ,  柴山亘 ,  志垣修平

IPC: C09D183/04 ,  B05D1/32 ,  B05D1/36 ,  B05D3/10 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4-a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1或2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。

公开(公告)号：CN109563371A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049797.6

申请日：2017-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤勇树 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/38 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si-C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。

公开(公告)号：CN108699389A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012899.0

申请日：2017-02-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  G03F7/11 ,  C08G77/06 ,  C08G77/16

Abstract: 本发明提供高低差基板的平坦化用组合物。本发明提供了在有机图案上涂布的高低差基板平坦化用组合物，含有含水解性硅烷的水解缩合物的聚硅氧烷和溶剂，上述聚硅氧烷含有相对于Si原子为20摩尔％以下的硅醇基，上述聚硅氧烷的重均分子量为1000～50000。