公开(公告)号：CN110366768A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880014924.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  田村护 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗

IPC: H01L21/02 ,  C09D179/08 ,  C09D201/00

Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。

公开(公告)号：CN118946956A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030289.9

申请日：2023-03-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: H01L21/312

Abstract: 本发明的课题是提供根据基板表面的材质而能够选择性地掩蔽的材料。解决手段是下述高分子膜形成用组合物、和使用该高分子膜形成用组合物的向基板的表面选择性形成高分子膜的方法，上述高分子膜形成用组合物是用于在具有表面由金属(I)形成的区域(R‑I)、和表面由与金属(I)不同的材质(II)形成的区域(R‑II)的基板中，选择性地在基板的区域(R‑I)上形成高分子膜的高分子膜形成用组合物，上述高分子膜形成用组合物包含自由基产生剂(A)和自由基加成反应性化合物(B)。

公开(公告)号：CN110914309B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880046103.8

申请日：2018-07-09

Applicant: 国立大学法人富山大学 ,  日产化学株式会社

Inventor： 北野博巳 ,  中路正 ,  臼井友辉 ,  西野泰斗 ,  岸冈高广

IPC: C07K17/08 ,  B01J20/24 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F220/40 ,  C12M1/00 ,  C12M3/00 ,  C12N1/02 ,  C07K11/00 ,  C12M1/34

Abstract: 本发明提供在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)表示的结构单元的聚合物(P1)的带配体的基体及其原材料、以及其制造方法。式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n如权利要求书及说明书中记载。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116034453A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180049745.5

申请日：2021-07-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  臼井友辉 ,  森谷俊介

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。

公开(公告)号：CN109073978B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780026762.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  臼井友辉 ,  境田康志 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。

公开(公告)号：CN109313389B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201780021847.X

申请日：2017-03-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  岸冈高广 ,  境田康志 ,  绪方裕斗

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/3445 ,  C08L63/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。

公开(公告)号：CN117882172A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058487.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  B32B7/12 ,  C09J11/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/304

Abstract: 一种层叠体，其具有：半导体基板、支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层，所述粘接层由粘接剂组合物的固化物形成，所述粘接剂组合物含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷、具有Si－H基的聚有机硅氧烷、铂族金属系催化剂、以及交联抑制剂，所述交联抑制剂含有含吡啶环的化合物和含磷的有机化合物中的至少任一种。

公开(公告)号：CN117098824A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280026154.0

申请日：2022-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: C09J201/00

Abstract: 一种粘接剂组合物，其中，涂布所述粘接剂组合物而得到的粘接剂涂布层在25℃以上且100℃以下的复数粘度为10Pa·s以上且10000Pa·s以下，并且所述粘接剂涂布层的下述式(1)中求出的粘度降低率为80％以下。粘度降低率(％)＝((V25－V100)/V25)×100……式(1)V25：25℃时的复数粘度。V100：100℃时的复数粘度。

公开(公告)号：CN115989142A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052586.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: B32B27/00

Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

公开(公告)号：CN111566144A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007733.9

申请日：2019-01-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥拓矢 ,  饭沼洋介 ,  服部隼人 ,  臼井友辉 ,  泽田和宏

IPC: C08G73/12 ,  C08K5/205 ,  C08K5/3445 ,  C08L79/08 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低化了的固化体的绝缘膜用树脂组合物、感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物来制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种绝缘膜用树脂组合物，是含有聚酰亚胺前体、以及聚酰胺酸酯、热酰亚胺化促进剂和溶剂的聚酰亚胺前体组合物，热酰亚胺化促进剂包含：具有羧基和能够通过热被脱保护而显示碱性的氨基或亚氨基，且在保护基脱离前不促进聚酰亚胺前体的酰亚胺化的化合物。本发明还涉及进一步包含光聚合引发剂的感光性绝缘膜用树脂组合物。特别适合用于半导体装置制造中的再配线层形成用途。