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公开(公告)号：CN1625702A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03803141.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3033 , G02B5/30 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明的粘合型光学薄膜是在光学薄膜的至少一侧的面上通过介入由树脂乳胶形成的增粘层而层叠有粘合剂层的薄膜。本发明的粘合型光学薄膜在使用工序中进行操作时即使与端部接触也不会引起粘合剂的脱落，容易进行处理。
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公开(公告)号：CN110622327B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880031799.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 贞赖直树
IPC: H10N10/851 , B82Y30/00 , H10N10/01
Abstract: 一种半导体烧结体，包括多晶体，所述多晶体包括硅或硅合金，构成所述多晶体的晶粒的平均粒径为1μm以下，所述半导体烧结体的电导率为10,000S/m以上。
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公开(公告)号：CN110622326B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880031777.0
申请日：2018-05-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 贞赖直树
IPC: H10N10/01 , B82Y30/00 , H10N10/851
Abstract: 一种半导体烧结体，包括多晶体，所述多晶体包括硅或硅合金，构成所述多晶体的晶粒的平均粒径为1μm以下，在所述晶粒的晶界存在包括硅的碳化物、氮化物、氧化物的一种以上的纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN110622328B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880031803.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 贞赖直树
IPC: H10N10/851 , B82Y30/00 , H10N10/01
Abstract: 一种半导体烧结体，包括多晶体，所述多晶体包括硅化镁、或含有硅化镁的合金，构成所述多晶体的晶粒的平均粒径为1μm以下，所述半导体烧结体的电导率为10,000S/m以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100418212C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510062892.9
申请日：2005-04-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C43/203 , B29C43/18 , B29L2011/0016 , H01L33/52
Abstract: 本发明提供一种用于光学半导体元件封装的片，其具有包含至少两层树脂层的多层结构，所述树脂层包括：(A)最外树脂层，其与一个或多个光学半导体元件接触；以及(B)树脂层，其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率。本发明也披露了使用该片制造光学半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN100378476C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN03803141.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3033 , G02B5/30 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明的粘合型光学薄膜是在光学薄膜的至少一侧的面上通过介入由树脂乳胶形成的增粘层而层叠有粘合剂层的薄膜。本发明的粘合型光学薄膜在使用工序中进行操作时即使与端部接触也不会引起粘合剂的脱落，容易进行处理。
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公开(公告)号：CN1288191C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200410008039.4
申请日：2004-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/02
CPC classification number: C08G18/095 , C08G18/69 , C08G18/71 , C08G18/7607
Abstract: 一种聚碳化二亚胺共聚物，其包括选自下列的至少一种结构单元：“m”个由下述通式(1)和(2)表示的橡胶残基，n个由下述通式(3)表示的结构单元并且其中包括在两端的各端上的衍生于单异氰酸酯的末端结构单元，其中m是大于或等于2的整数，n是大于或等于1的整数，m+n在3-1500之间，m/(m+n)在1/1,500和1/3之间。该聚碳化二亚胺能保持固有的耐热性以及表现出优越的屈挠性。可制备具有高耐热性和屈挠性的膜和模塑材料。
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公开(公告)号：CN1797808A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410102150.X
申请日：2004-12-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: B29C43/021 , B29C43/203 , B29L2011/00 , B29L2011/0016 , C08G18/025 , C08G18/71 , C08G18/7607 , C09D175/00 , H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供了一种制造发光半导体器件的方法，所述方法包括：(1)在发光半导体元件光取出侧上形成含聚碳化二亚胺层；和(2)在含聚碳化二亚胺层表面上形成凹凸。
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