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公开(公告)号：CN109995303B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201711473986.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098
Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN111953211A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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公开(公告)号：CN109995304A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711476370.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN118798104B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118798104A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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公开(公告)号：CN112825301B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN112768521A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN109995303A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473986.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098
Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN104916674B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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