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公开(公告)号：CN114102403A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111330781.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法，涉及单硅晶片技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：抛光机构、横向移动机构、垂直移动机构、硅片固定机构、角度调节机构和硅片传动机构。本发明通过各个配件的配合，能够有效的对单硅晶片的各个角度进行抛光打磨，且通过启动硅片传动机构带动单硅晶片进行往复移动，能够使抛光机构较为均匀的对单硅晶片进行打磨，从而大大的提升单硅晶片的表面光滑度，且通过设置可调节传动板能够较为简单的调节角度调节机构的移动行程，适用于不同尺寸的单硅晶片，简化了操作的工序。
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公开(公告)号：CN110153975A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910449134.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于移动工作台的防护结构，其可防止风琴防护罩受损、密封性好、使用寿命长，其包括底板、工作台，底板安装有传动导向结构，工作台安装于传动导向结构，底板的两端设置围板，围板和工作台之间通过风琴防护罩连接、并与底板合围为一个箱体，风琴防护罩的外部设置有刚性保护罩，刚性保护罩穿过工作台后与围板连接，在工作台和底板之间，工作台的内侧壁设有迷宫密封结构，迷宫密封结构与底板的外侧壁相贴合。
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公开(公告)号：CN107855927A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711324369.8
申请日：2017-12-13
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
CPC classification number: B24B41/002 , B24B41/02
Abstract: 本发明提供了一种数控电动升降磨头，其可缩短工件在滚圆时的磨削时间，提高滚圆磨削加工的工作效率以及磨削加工的质量，从而降低生产成本，增加经济效益；其包括金刚石砂轮，其还包括磨头立柱以及安装于所述磨头立柱顶部的伺服电机，所述伺服电机通过减速机连接有滚珠丝杠副，所述滚珠丝杠副上连接有磨头体，所述金刚石砂轮安装于所述磨头体上。
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公开(公告)号：CN108582539B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201810796577.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数控单晶硅剖方机，包括床身，所述床身上通过立柱设有沿其运动的工作台，立柱外顶部通过第一直线导轨连接有工作台移动机构，工作台的两端分别安装自动夹紧机构和自动分度旋转机构，自动夹紧机构上安装有晶线检测装置；床身的中部安装上、下料滑台机构，位于其一侧的床身上设有切割线架，位于上、下料滑台机构另一侧的床身上设有两个收放线架，分别固定于工作台的两侧，每个收放线架内下部安装有收放线机构，上部安装有排线模组、张力摆臂装置和第一过线轮，顶部安装有电箱；床身一侧安装废料输送机构，所述立柱的顶部安装有操纵箱；本发明提高了单晶硅开方的加工效率和质量，节约人力和生产成本，增加了经济效益。
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公开(公告)号：CN115741363A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211349596.7
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置，属于碳化硅加工领域，一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置，包括圆壳，所述圆壳顶面为开口设置，所述圆壳内腔靠近底面处活动连接有放置板，所述放置板顶面设置有粘合层，所述圆壳底面设置有驱动机构，所述圆壳底面开设有若干个通孔，所述圆壳侧壁上设置有夹持打磨机构，所述圆壳侧壁靠近顶面处安装有支架，所述支架呈U形设置，所述支架顶面安装有气缸，所述气缸输出端贯穿支架并与其活动连接，所述气缸底端设置有缓冲机构，它可以实现，对碳化硅晶体进行多面打磨操作，尤其针对毛坯晶体打磨具有良好的效果，同时可快速调整打磨组件的间距，适用于不同大小的晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115625037A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211383426.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅制备的原料定量输送装置，属于碳化硅加工技术领域，包括底支撑架，所述底支撑架上对称安装有传输支架，所述传输支架两端转动安装有传动辊，两个所述传动辊之间设置有传输皮带，所述传输支架之间设置有用于所述传输皮带形状限定的限位机构，所述传输支架上靠近加料端安装有筛选箱，所述筛选箱内部安装有用于碳化硅原料金属杂质清除的磁选机构，所述筛选箱在靠近所述传输皮带传送方向一端设置有用于下料灰尘收集和处理的除尘机构；它可以实现形成稳定的凹形物料传输系统，使得碳化硅原料传输更加稳定，不会发生散落，同时在物料传输的过程中对金属碎屑进行祛除，提高物料定量传输的准确性。
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公开(公告)号：CN108000323B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201711324641.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种数控磨面倒角滚圆一体机，其可将多道磨削加工工序集于一体完成，减少了操作员工的数量，减轻了劳动强度，并提高了工作效率以及磨削加工质量，从而实现了降低生产成本，增加了经济效益的目的；床身上的上下料移动装置中的上、下料滑台通过第一直线导轨分别安装于床身一端两侧，工作台连接于支撑架上，工作台底部装有相对设置的顶头轴座，顶头轴座上设有顶头轴及驱动顶头轴旋转的第一伺服电机，固定于工作台底部的第一驱动机构与其对应一侧的顶头轴座相连接，床身两侧分别安装有滑板，滑板上装有磨削装置，磨削装置包括装于滑板上的磨头立柱，磨头立柱上安装金刚石砂轮以及驱动金刚石砂轮旋转磨削的交流变频电机。
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公开(公告)号：CN115791502A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211338697.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，属于碳化硅领域，一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，包括有以下步骤：S1、碳化硅微粉取样，在碳化硅微粉中均匀设置多个取样点进行取样，并将取出的样品进行混合重新分配，形成微粉基础样品，并对其重量进行记录；S2、粒度筛分，利用不同的粒度筛分别对多个微粉基础样品进行粒度筛分，形成粒度一样品、粒度二样品和粒度三样品，并计算各粒度的均匀占比值；S3、取样称重，分别对上述步骤中的多个粒度一样品、多个粒度二样品和多个粒度三样品进行堆积取样；S4、干燥处理；S5、粒度水分计算，它可以实现，能够准确的对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测。
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公开(公告)号：CN115652433A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407190.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体加工后冷却方法，属于碳化硅晶体加工领域，一种碳化硅晶体加工后冷却方法，包括有以下步骤：S1：真空静置、在真空环境下对碳化硅晶柱进行静置，直至其初步冷却成形后取出；S2：风力冷却、利用逐渐降低温度的风力对S1中取出的碳化硅晶柱进行降温，风力温度始终低于碳化硅晶柱温度并高于室温；S3：水力冷却、将风力冷却后的碳化硅晶柱放置在储水设备内部的冷却水中，利用冷却水对碳化硅晶柱进行降温；S4：冰沙冷却、将水力冷却后的碳化硅晶柱放置进入冰块内部，它可以实现，在碳化硅晶柱的不同温度区间利用风力、水和冰对碳化硅晶柱进行降温，提升降温效率。
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公开(公告)号：CN115646663A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407189.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
IPC: B03D1/02 , B03B1/00 , C01B32/956 , C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉用的金属粉末分离工艺，属于碳化硅加工技术领域，包括以下步骤：S1、废砂浆固液分离：采用泵送设备将废砂浆泵送至固液分离装置进行固液分离，获得砂浆沉淀物；S2、清洗：将步骤S1中获得的砂浆沉淀物通过去离子水进行反复清洗、过滤，得到砂浆滤渣；S3、配置浮选液：在浮选剂内部加入捕捉剂、起泡剂以及PH调节剂；S4、滤渣浮选：将步骤S2中的砂浆滤渣烘干、压碎，用比重2.5‑3的泡沫浮选液在超声波震荡辅助下进行浮选；S5、沉淀固体处理；S6、上浮固体处理；它可以实现通过在浮选剂内部添加捕捉剂和起泡剂以及调节PH值来实现将Si粉与SiC二者进行较大程度的分离，从而使得回收的Si粉与SiC纯度更高。
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