公开(公告)号：CN118985045A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202380025926.3

申请日：2023-03-30

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 森永雄司 ,  久田茂

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明的电子模块包括：具有多个第一电极的第一半导体元件；具有多个第二电极的第二半导体元件；电容器；基板，具有搭载了所述第一半导体元件的第一布线图案、搭载了所述第二半导体元件的第二布线图案及第三布线图案；以及多个电连接构件，其中，所述第一布线图案连接所述第一电极的一部分及所述第二电极的另一部分，所述第二布线图案连接所述第二电极的一部分及所述电容器的一部分，所述第三布线图案连接所述第一电极的另一部分及所述电容器的另一部分，所述第一电极的面与所述第二电极的面位于不同的高度位置上，通过所述多个电连接构件中的一个电连接构件连接所述第一电极的一部分、所述第二电极的另一部分以及所述第一布线图案。根据本发明的电子模块，即使在高速开关动作时也能够在动作稳定性和可靠性方面满足要求。

公开(公告)号：CN109643731A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201680088767.1

申请日：2016-09-16

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 新井大辅 ,  久田茂 ,  北田瑞枝 ,  浅田毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET100；以及整流元件，的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在开启MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在开启MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，还能够降低整流元件的浪涌。