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公开(公告)号：CN109643731B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680088767.1
申请日：2016-09-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET100；以及整流元件，的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在开启MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在开启MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，还能够降低整流元件的浪涌。
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公开(公告)号：CN109643656A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680088771.8
申请日：2016-09-02
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET；以及整流元件的电力转换电路中，其特征在于：具备：具有由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构的半导体基体，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：使所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。根据本发明的MOSFET，由于能够在关断MOSFET后，将MOSFET的浪涌电压减小至比以往更小的程度，因此就能够使其适用于各种电力转换电路。
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公开(公告)号：CN114008906B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202080046264.4
申请日：2020-09-03
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M7/06
Abstract: 本发明提供一种即便是在交流输入电压波动较大的情况下，也能够切实地对积蓄在X电容器中的电荷进行放电的控制电路。本发明的控制电路11用于对将输入的交流转换为直流后进行输出的AC‑DC转换器51的交流的异极电源线AC1·AC2之间连接的X电容器C100的放电进行控制，其特征在于：控制电路11检测出X电容器C100的电压的变化状态，并控制放电使积蓄在X电容器C100中的电荷根据变化状态来进行放电。
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公开(公告)号：CN114008906A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080046264.4
申请日：2020-09-03
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M7/06
Abstract: 本发明提供一种即便是在交流输入电压波动较大的情况下，也能够切实地对积蓄在X电容器中的电荷进行放电的控制电路。本发明的控制电路11用于对将输入的交流转换为直流后进行输出的AC‑DC转换器51的交流的异极电源线AC1·AC2之间连接的X电容器C100的放电进行控制，其特征在于：控制电路11检测出X电容器C100的电压的变化状态，并控制放电使积蓄在X电容器C100中的电荷根据变化状态来进行放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119968767A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380070102.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种控制电路，即使在如刚启动后等那样输出电压没有完全上升的情况下，也能够检测电感器电流成为零的时机。控制电路(30)具备：零电流检测阈值计算部(31)，其基于对直流转换电路(20)的输出电压进行分压而得到的第一分压电压(VFB)，计算零电流检测阈值(Vth1、Vth2)；零电流检测部(32)，其通过将由零电流检测阈值计算部(31)计算出的零电流检测阈值(Vth1、Vth2)与基于施加于开关元件(Q)的电压的电压(VFB)进行比较，检测流过电感器(L)的电流成为零的时机；以及开关元件驱动控制部(34)，其基于由零电流检测部(32)检测出的流过电感器(L)的电流成为零的时机，控制开关元件(Q)的接通。
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公开(公告)号：CN111771321B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201880090202.6
申请日：2018-03-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的半导体开关控制电路12包括：脉冲信号生成部13，用于生成作为控制半导体开关6的ON/OFF的时间基准的脉冲信号；驱动电流生成部14，在根据脉冲信号生成部13生成的脉冲信号来生成驱动电流后，将该驱动电流提供至半导体开关6的栅电极；电流检测部18，对半导体开关6的漏极电流或源极电流进行检测；以及驱动电流控制部19，具有根据脉冲信号生成部13生成的脉冲信号以及电流检测部18检测出的电流，对驱动电流生成部14生成的驱动电流进行控制的功能。本发明的导体开关控制电路12即便是在电源启动时或发生过载时等会流通大的开关电流的时刻，也不易发生自激振荡。
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公开(公告)号：CN103354972A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201280007062.4
申请日：2012-01-27
Applicant: 新电元工业株式会社
CPC classification number: H02M7/217 , H02M1/32 , H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明提供一种功率因数改善电路，能够降低在启动时、输入突变时、负载突变时等过冲保护开启时产生的变压器的噪声。通过输出电压控制部，电容器的两端电压被恒定控制在第一电压值，当输出电容器的两端电压达到了比第一电压值大的第二电压值时，通过过电压检测部，第二电压值被检测出。另外，通过电流制限部，在流过开关元件的开关电流的值被检测出的同时，开关电流的限制值被确定。然后，开关电流被限制在限制值，当通过过电压检测部，第二电压值被检测出时，通过限制值变更部，为了使得开关电流值降低，让电流制限部变更限制值。
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公开(公告)号：CN111771321A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201880090202.6
申请日：2018-03-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的半导体开关控制电路12包括：脉冲信号生成部13，用于生成作为控制半导体开关6的ON/OFF的时间基准的脉冲信号；驱动电流生成部14，在根据脉冲信号生成部13生成的脉冲信号来生成驱动电流后，将该驱动电流提供至半导体开关6的栅电极；电流检测部18，对半导体开关6的漏极电流或源极电流进行检测；以及驱动电流控制部19，具有根据脉冲信号生成部13生成的脉冲信号以及电流检测部18检测出的电流，对驱动电流生成部14生成的驱动电流进行控制的功能。本发明的导体开关控制电路12即便是在电源启动时或发生过载时等会流通大的开关电流的时刻，也不易发生自激振荡。
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公开(公告)号：CN103354972B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280007062.4
申请日：2012-01-27
Applicant: 新电元工业株式会社
CPC classification number: H02M7/217 , H02M1/32 , H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明提供一种功率因数改善电路，能够降低在启动时、输入突变时、负载突变时等过冲保护开启时产生的变压器的噪声。通过输出电压控制部，电容器的两端电压被恒定控制在第一电压值，当输出电容器的两端电压达到了比第一电压值大的第二电压值时，通过过电压检测部，第二电压值被检测出。另外，通过电流制限部，在流过开关元件的开关电流的值被检测出的同时，开关电流的限制值被确定。然后，开关电流被限制在限制值，当通过过电压检测部，第二电压值被检测出时，通过限制值变更部，为了使得开关电流值降低，让电流制限部变更限制值。
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