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公开(公告)号：CN108365060A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810102960.7
申请日：2018-02-01
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u-GaN层，生长掺Si的n-GaN层，生长发光层，生长GaN-AlGaN-GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN-AlGaN-GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。
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公开(公告)号：CN115061145B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210695741.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL的多功能可调谐激光系统，包括：发射模块包括垂直腔面发射激光器；透镜模块包括第一透镜模块和第二透镜模块；第二透镜模块包括微光学型可调光功率分配器；接收模块用于对微光学型可调光功率分配器输出的光束进行采集和应用；控制模块用于对微光学型可调光功率分配器进行控制，来改变微光学型可调光功率分配器各输出端的光功率；微光学型可调光功率分配器包括半波片和控制半波片旋转的旋转机构；控制模块包括控制单元和外部监测模块；外部监测模块用于获取与光功率分配相关的外部数据，并将该外部数据发送至控制单元；控制单元向旋转机构发送控制信号；旋转机构用于调整半波片的光轴与输入光振动方向的角度。
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公开(公告)号：CN118483787A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410629296.7
申请日：2024-05-21
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于圆弧形侧壁的光栅天线，包括基底层、上包层、夹于基底层及上包层之间的介质埋氧层、设于上包层内的波导光栅，波导光栅两侧壁面设有沿光模传播方向排列的若干圆弧形凸起以实现周期性的布拉格反射，圆弧形凸起沿波导光栅的轴线对称分布，圆弧形凸起的尺寸从光模入射方向到出射方向逐渐变大。本发明通过在波导光栅侧壁设置圆弧形凸起结构，有效地抑制侧向和底部辐射，提高天线向上辐射效率；通过将圆弧形凸起的尺寸设计为渐变结构，使波束在光栅天线各衍射点处的衍射强度均匀，天线的均匀发射也增加了光栅天线的有效长度，可实现远场光束的窄波束宽度，提高光学相控阵的扫描分辨率性能。
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公开(公告)号：CN116719133A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310701123.7
申请日：2023-06-14
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于错位阶梯棱镜的高效光纤耦合系统，包括：若干激光源、若干错位阶梯棱镜、若干半波片、若干梯形棱镜、若干波长合束镜、扩束柱面镜，以及聚焦透镜。本发明在不需要平板镜、条纹镜或棱镜堆栈的同时，利用空间合束技术结合错位阶梯棱镜透射面与反射面的高效利用实现光束暗区压缩，慢轴方向上的光束采用偏振合束技术均匀快轴与慢轴方向上的光束质量，通过波长合束技术增加功率，系统整体紧凑，简洁，实用，且最终以较高的光效率耦合进目标光纤。
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公开(公告)号：CN116560113A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310624220.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 扬州大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于PWM控制的光学相控阵行列折叠式移相器驱动系统，包括生成PWM的逻辑电路和具有小纹波的精确输出电压的LDO低压差线性稳压器，以获得稳定的PWM驱动信号。移相器部分将各热光移相器以行列折叠形式排布，即把同一列移相器的正极连在一起作为驱动线路，同行的移相器的负极连在一起作为使能线路。FPGA控制电路控制使能线路的低电平通断，同时输出PWM信号输入到驱动线路，以寻址行列中的某一个特定移相器，从而实现预想的移相器驱动的分时复用功能。这种设计可以减少芯片的光路长度、优化加热器的调节和切换机制并且大大减少所需驱动器的个数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115061145A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210695741.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL的多功能可调谐激光系统，包括：发射模块包括垂直腔面发射激光器；透镜模块包括第一透镜模块和第二透镜模块；第二透镜模块包括微光学型可调光功率分配器；接收模块用于对微光学型可调光功率分配器输出的光束进行采集和应用；控制模块用于对微光学型可调光功率分配器进行控制，来改变微光学型可调光功率分配器各输出端的光功率；微光学型可调光功率分配器包括半波片和控制半波片旋转的旋转机构；控制模块包括控制单元和外部监测模块；外部监测模块用于获取与光功率分配相关的外部数据，并将该外部数据发送至控制单元；控制单元向旋转机构发送控制信号；旋转机构用于调整半波片的光轴与输入光振动方向的角度。
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公开(公告)号：CN112467004B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011195587.8
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种包含电子存储层的GaN基LED外延结构及其生长方法，在InyGa1‑yN/GaN发光层与AlGaN电子阻挡层之间设置InxGa1‑xN电子存储层，其中InxGa1‑xN中的x值为0.05。本发明在发光层的最后一层势垒层与电子阻挡层之间引入一层InxGa1‑xN量子势阱层作为电子存储层。引入电子存储层后，InGaN材料的引入会在电子阻挡层与GaN势垒之间形成一个电子势阱，该势阱可以储存大量泄漏电子，可以有效减少器件的俄歇复合效率，可以增大与电子阻挡层之间的极化电场，能够有效提高电子阻挡层的有效高度，可以更好地对电子进行限制；最终可以提高GaN基LED的光电性能。
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公开(公告)号：CN113703244A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110953527.6
申请日：2021-08-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模集成的电光微环光学相控阵，至下而上包括硅衬底、二氧化硅掩埋层和硅芯层；二氧化硅掩埋层附着在硅衬底；在硅芯层这一层上还包括用于接收激光光源并将激光光源引导至光分束网络的光栅耦合器、用于将光栅耦合器输出的光源分成多路信号并传输至相位调谐区的光分束网络、用于产生相位差光束的相位调谐区和用于将产生的相位差光束发射至自由空间的天线阵列；相位调谐区包括由多个阵元构成的调谐阵列、与光分束网络连接的直波导、用于控制阵元的电压输出的控制总线；每个阵元均包括定向耦合器、p‑i‑n调制器和电极片；定向耦合器将直波导上的光信号耦合至p‑i‑n调制器，所述p‑i‑n调制器通过电极片与控制总线连接，用于使各路光产生相位差。
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公开(公告)号：CN112436081A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195588.2
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐变的AlxGa1‑xN最后一层势垒层，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
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