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公开(公告)号：CN113703244A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110953527.6
申请日：2021-08-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模集成的电光微环光学相控阵，至下而上包括硅衬底、二氧化硅掩埋层和硅芯层；二氧化硅掩埋层附着在硅衬底；在硅芯层这一层上还包括用于接收激光光源并将激光光源引导至光分束网络的光栅耦合器、用于将光栅耦合器输出的光源分成多路信号并传输至相位调谐区的光分束网络、用于产生相位差光束的相位调谐区和用于将产生的相位差光束发射至自由空间的天线阵列；相位调谐区包括由多个阵元构成的调谐阵列、与光分束网络连接的直波导、用于控制阵元的电压输出的控制总线；每个阵元均包括定向耦合器、p‑i‑n调制器和电极片；定向耦合器将直波导上的光信号耦合至p‑i‑n调制器，所述p‑i‑n调制器通过电极片与控制总线连接，用于使各路光产生相位差。
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公开(公告)号：CN112436081A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195588.2
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐变的AlxGa1‑xN最后一层势垒层，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112436079A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195545.4
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层为GaN‑InxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称为GIG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、InxGa1‑x N势垒和GaN势垒构成，InxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.1再到0渐变。本发明采用GIG倒三角形势垒结构代替传统LED的GaN势垒结构，势垒层中的InGaN材料的应用能够有效降低势垒与量子阱的极化电场，有效抑制量子斯塔克效应，同时本发明提出的特殊势垒形状并没有降低势垒的有效高度，倒三角形势垒仍然可以有效地限制载流子。
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公开(公告)号：CN112436078A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195544.X
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构，该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称GAG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、AlxGa1‑xN势垒和GaN势垒构成，AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下，有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力，从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。
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公开(公告)号：CN113703244B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110953527.6
申请日：2021-08-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 总线连接，用于使各路光产生相位差。本发明公开了一种大规模集成的电光微环光学相控阵，至下而上包括硅衬底、二氧化硅掩埋层和硅芯层；二氧化硅掩埋层附着在硅衬底；在硅芯层这一层上还包括用于接收激光光源并将激光光源引导至光分束网络的光栅耦合器、用于将光栅耦合器输出的光源分成多路信号并传输至相位调谐区的光分束网络、用于产生相位差光束的相位调谐区和用于将产生的相位差光束发射至自由空间的天线阵列；相位调谐区包括由多个阵元构成的调谐阵列、与光分束网络连接的直波导、用于控制阵元的电压输出的控制总线；每个阵元均包括定向耦合器、p‑i‑n调制器和电
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公开(公告)号：CN112436081B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011195588.2
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐变的AlxGa1‑xN最后一层势垒层，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN112436082A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011198508.9
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高发光区中载流子分布均匀性的LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替形成，其中势垒层采用In组分沿生长方向逐渐提高的InxGa1‑xN势垒层。本发明将传统的GaN势垒替换为渐变In组分势垒，极大提升了GaN基LED的光电性能，有效降低了GaN基LED的效率下降。
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