公开(公告)号：CN103609207A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029524.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本一美

IPC: H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0088 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/32

Abstract: 本发明提供在从低频到高频的宽频带中具有低通滤波特性的电磁波干扰抑制材料及使用该电磁波干扰抑制材料的电磁波干扰抑制用片材。将在电磁波干扰抑制片中混合了5～25Vol%的导电性碳的表面电阻为100～5000Ω/□的导电层和磁性材料料进行混合，层叠100MHz的导磁率实数部分μ'为3～45的磁性层，由此，能够得到适合电子设备的高密度安装，近场的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制片。

公开(公告)号：CN101683020B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200880011204.8

申请日：2008-04-10

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本一美 ,  木村哲也

IPC: H05K9/00 ,  H01F1/00

CPC classification number: B29C51/02 ,  H01F1/344 ,  H01F1/375 ,  H01F41/16 ,  H01Q17/004 ,  H05K9/0083

Abstract: 通过组合导电性碳和累积50％体积粒径为1～10μm的尖晶石铁氧体颗粒粉末进行使用，可以得到对附近电磁场的电磁波吸收优良，抑制反射并且适用于高密度安装的电磁波干扰抑制片。本发明电磁波干扰抑制片通过本发明的制造方法得到，即，涂敷使导电性碳和累积50％体积粒径为1～10μm的尖晶石铁氧体颗粒粉末分散而得到的涂料，使得干燥厚度为10～100μm，然后进行热加压成形。

公开(公告)号：CN101262085A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810096312.1

申请日：2008-03-05

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  土手智博 ,  山本一美 ,  土井孝纪 ,  冈野洋司

IPC: H01Q1/00 ,  H01Q1/38 ,  H01F1/34

Abstract: 本发明提供铁氧体成形片材、烧结铁氧体基板和天线模块，该厚度为30μm～430μm的铁氧体成形片材的特征在于，在至少一个表面的表面粗糙度中，中心线平均粗糙度为170nm～800nm，并且最大高度为3μm～10μm，在100μm见方的区域中在最大高度的50％深度处沿水平方向切割开的断裂面的面积占有率为10～80％。

公开(公告)号：CN107836140B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201680041151.9

申请日：2016-07-11

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 冈野洋司 ,  吉田明广 ,  山本一美 ,  表祐治

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  H01F1/34

Abstract: 本发明提供在从10MHz到1GHz的宽的频率范围中吸收噪声的噪声抑制片。该噪声抑制片为将包含导电性填料和树脂的导电层与包含铁氧体的磁性层叠层得到的铁氧体叠层体，上述导电层的表面电阻为100～5000Ω／□，上述铁氧体被分割成小片状，铁氧体在10MHz时的磁导率的实部为130～480，磁导率的虚部为30～440。

公开(公告)号：CN107836140A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041151.9

申请日：2016-07-11

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 冈野洋司 ,  吉田明广 ,  山本一美 ,  表祐治

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/02 ,  H01F1/34

Abstract: 本发明提供在从10MHz到1GHz的宽的频率范围中吸收噪声的噪声抑制片。该噪声抑制片为将包含导电性填料和树脂的导电性层与包含铁氧体的磁性层叠层得到的铁氧体叠层体，上述导电层的表面电阻为100～5000Ω/□，上述铁氧体被分割成小片状，铁氧体在10MHz时的磁导率的实部为130～480，磁导率的虚部为30～440。

公开(公告)号：CN103609207B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280029524.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本一美

IPC: H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0088 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/32

Abstract: 本发明提供在从低频到高频的宽频带中具有低通滤波特性的电磁波干扰抑制材料及使用该电磁波干扰抑制材料的电磁波干扰抑制用片材。将在电磁波干扰抑制片中混合了5～25Vol%的导电性碳的表面电阻为100～5000Ω/□的导电层和磁性材料料进行混合，层叠100MHz的导磁率实数部分μ'为3～45的磁性层，由此，能够得到适合电子设备的高密度安装，近场的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制片。

公开(公告)号：CN103496960B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201310409292.X

申请日：2008-03-05

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  土手智博 ,  山本一美 ,  土井孝纪 ,  冈野洋司

IPC: H01Q17/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/62218 ,  C04B35/265 ,  C04B35/63408 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  H01F1/344 ,  H01F41/16 ,  H01Q17/00 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31609

Abstract: 本发明提供铁氧体成形片材、烧结铁氧体基板和天线模块，该厚度为30μm～430μm的铁氧体成形片材的特征在于，在至少一个表面的表面粗糙度中，中心线平均粗糙度为170nm～800nm，并且最大高度为3μm～10μm，在100μm见方的区域中在最大高度的50%深度处沿水平方向切割开的断裂面的面积占有率为10～80%。

公开(公告)号：CN103496960A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310409292.X

申请日：2008-03-05

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  土手智博 ,  山本一美 ,  土井孝纪 ,  冈野洋司

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01Q17/00

CPC classification number: C04B35/62218 ,  C04B35/265 ,  C04B35/63408 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  H01F1/344 ,  H01F41/16 ,  H01Q17/00 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31609

Abstract: 本发明提供铁氧体成形片材、烧结铁氧体基板和天线模块，该厚度为30μm～430μm的铁氧体成形片材的特征在于，在至少一个表面的表面粗糙度中，中心线平均粗糙度为170nm～800nm，并且最大高度为3μm～10μm，在100μm见方的区域中在最大高度的50%深度处沿水平方向切割开的断裂面的面积占有率为10～80%。

公开(公告)号：CN101460404A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200680054891.2

申请日：2006-06-06

Applicant: 日东电工株式会社 ,  户田工业株式会社

Inventor： 山本一美 ,  阿部雅治 ,  山本惠久 ,  西本一志 ,  土手智博 ,  五十岚一雅 ,  惠藤拓也 ,  多田雅孝 ,  冈山克巳 ,  小林薰

IPC: C01G49/00 ,  C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C01G49/0018 ,  C01G49/0063 ,  C01G49/0072 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/53 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/22 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/2625 ,  C04B35/265 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/79 ,  C08G59/621 ,  C08L63/00 ,  C09C1/24 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有良好成型性的半导体封装用树脂组合物，其固化产物具有有效的电磁波屏蔽性。一种半导体封装用树脂组合物，其含有的球状烧结铁氧体粒子具有下述性质(a)～(c)：(a)所述粒子的可溶性离子含量为至多5ppm；(b)所述粒子的平均粒度为10～50μm；(c)通过X射线衍射，所述粒子的晶体结构为尖晶石结构。