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公开(公告)号：CN112133811A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910556323.1
申请日：2019-06-25
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。该显示面板包括：驱动背板，位于驱动背板上的发光二极管阵列层，发光二极管阵列层包括多个发光二极管。设置于相邻发光二极管之间的挡墙及设置于发光二极管阵列层上远离驱动背板的一侧的光转换膜，光转换膜包括多种基色单元，各所述基色单元通过光阻挡柱隔离，每个基色单元对应一个发光二极管设置，由发光二极管阵列层出射的光线能够在光转换膜混合成白光；其中，光转换膜中分布有中空空洞。根据本发明实施例的显示面板，在实现彩色化的同时，能够减少发光二极管发出的光漏光，提高光的利用率。
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公开(公告)号：CN113745259B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010477915.7
申请日：2020-05-29
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管显示面板及其制备方法，该发光二极管显示面板包括：间隔排布在驱动背板上的第一发光外延层和第二发光外延层，所述第一发光外延层和所述第二发光外延层共用P型电极或N型电极。本申请解决了现有技术中三基色显示面板的制备过程繁琐，并且产品良率低的问题。
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公开(公告)号：CN113838991B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010511671.X
申请日：2020-06-08
申请人： 成都辰显光电有限公司
IPC分类号： H10K50/844 , H10K50/856 , H10K59/12 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L27/15 , G09F9/33
摘要： 本申请涉及一种显示面板和显示装置。显示面板包括驱动基板、反射杯结构、发光单元、第一封装层和第二封装层。反射杯结构包括间隔设置的多个收纳腔。发光单元设置收纳腔中。第一封装层和第二封装层用于封装发光单元。反射杯结构可以形成间隔不同颜色的发光单元的重要屏障，抑制发光单元的串光、串色。由于所述第一封装层的折射率小于所述第二封装层的折射率，因此由第一封装层经过第一封装层和第二封装层的接触界面进入第二封装层的光的出射角小于临界角，减少了光线横向传播到达其他结构而被吸收的比例，从而提高了显示面板的光取出效率。
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公开(公告)号：CN112133718B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910557311.0
申请日：2019-06-25
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。该显示面板包括：驱动背板；发光组件层，设置于驱动背板上，发光组件层包括呈阵列分布的多个发光单元及阻隔物，相邻发光单元通过阻隔物相互分离设置，发光单元至少包括第一基色发光单元、第二基色发光单元和第三基色发光单元；其中，至少第一基色发光单元及第二基色发光单元内设置有光转换单元，光转换单元包括在显示面板厚度方向上层叠设置的两层以上的光转换层，相邻两层光转换层之间设有第一透明导热层。本发明实施例提供的显示面板，能够提高光转换材料的散热性能，避免高温导致光转换材料寿命短，进而影响显示效果的问题出现。
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公开(公告)号：CN114171646B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010953985.5
申请日：2020-09-11
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种微型发光二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间绝缘设置；第一电极，位于所述第一部分远离所述多量子阱层的一侧表面，且贯穿所述第一部分和所述多量子阱层并电性连接所述第一半导体层；第二电极，位于所述第二部分远离所述多量子阱层的一侧表面且电性连接所述第二部分，能够减小多量子阱中注入电流的面积，提高电流密度，使Micro‑LED工作在高光效对应的电流密度区间，并且能减少横向传导到Micro‑LED侧壁的载流子数量，减少载流子在侧壁的非辐射复合，从而达到提升Micro‑LED发光效率的效果。
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公开(公告)号：CN112750851B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201911055698.6
申请日：2019-10-31
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法，微发光元件阵列基板包括：衬底；微发光二极管芯片，呈阵列分布在衬底上，微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面；牺牲层，设置在连接面上，牺牲层包括至少一个第一开口；隔离层，至少部分隔离层设置在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧，其中隔离层填充第一开口，且隔离层在第一开口处形成连接结构，连接结构与微发光二极管芯片直接接触。本发明提供的微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接，易于剥离衬底，同时能够便于微发光二极管芯片与临时基板分离，防止对微发光二极管芯片造成损伤，提高显示面板的制造良率。
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公开(公告)号：CN110517620B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910818962.0
申请日：2019-08-30
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种移位寄存器及显示面板。移位寄存器包括输出调节模块、触发写入模块、节点控制模块、电位保持模块以及耦合模块，输出调节模块根据第一节点和第二节点上的信号以及第一时钟信号调节所述移位寄存器的输出信号，触发写入模块在电位缓变时段将触发信号写入所述第二节点，节点控制模块在所述电位缓变时段将第一电源信号写入第一节点，电位保持模块在电位维持时段调节第一节点的电位至第二时钟信号的低电位以使第一节点在电位缓变时段的电位小于第一电源信号的电位，耦合模块将移位寄存器的输出信号耦合至第二节点。本发明实施例提供的技术方案，提高了移位寄存器输出信号的稳定性，优化了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN112750931B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201911054781.1
申请日：2019-10-31
申请人： 成都辰显光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法。微发光二极管包括堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面；第一电极和第二电极，位于所述堆叠结构的所述第二表面，其中，所述堆叠结构在所述第二表面具有凹陷至所述第一掺杂类型半导体层的沟槽，所述沟槽位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。根据本发明实施例的微发光二极管，第一电极和第二电极能够在同一工艺中同时形成，提高制作效率。当微发光二极管在后续焊接工艺中第一电极处和/或第二电极处有焊料外溢时，沟槽能够有效防止焊接工艺中焊料外溢造成的第一电极和第二电极之间短路的问题。
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公开(公告)号：CN111129058B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201811291805.0
申请日：2018-10-31
申请人： 成都辰显光电有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了一种微发光器件的转印系统及方法，转印系统包括：供给基板，供给基板的至少一表面设置有若干微发光器件；转印装置，转印装置包括传送头及针形转印头，针形转印头一端固定于传送头，另一端为自由端，针形转印头的自由端用于拾取微发光器件；接受基板，接受基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的凹槽，凹槽用于容纳微发光器件。通过上述方式，能够实现微发光器件的巨量转移，提高微发光器件的生产效率。
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公开(公告)号：CN111292631B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201811393652.0
申请日：2018-11-21
申请人： 成都辰显光电有限公司
IPC分类号： G09F9/33 , G09G3/32 , H01L21/52 , H01L25/075
摘要： 本申请公开了一种微发光二极管显示面板及其制备方法，该微发光二极管显示面板包括：驱动背板，驱动背板一表面设有若干凹槽，每一凹槽底部或底部下方设有磁力线圈；微发光二极管，安装至驱动背板并嵌入凹槽，微发光二极管一端为出光面，远离出光面的另一端设有磁性材料，磁性材料位于磁力线圈通电所产生的磁场范围内。通过上述方式，本申请能够提高微发光二极管的转移效率，实现巨量转移。
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