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公开(公告)号：CN116643063A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310156744.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种微机械器件，包括：半导体主体；可移动结构，被配置为沿着振荡方向相对于半导体主体振荡；以及弹性组件，具有弹性常数，被耦合至可移动结构和半导体主体，并且被配置为沿着振荡方向变形，以允许可移动结构根据施加到微机械器件的加速度的振荡。可移动结构和半导体主体包括用于可移动结构的振荡的电容控制的控制结构：当控制结构在第一状态下被电控制时，微机械器件处于第一操作模式，其中微机械器件的总弹性常数具有第一值，并且当控制结构在第二状态下被电控制时，微机械器件处于第二操作模式，其中总弹性常数具有小于或等于第一值的第二值。
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公开(公告)号：CN116165397A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211486433.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及具有改进的应力不敏感性的Z轴微机电传感器。一种微机电传感器设备具有检测结构，该检测结构包括：具有顶面的基底；悬置在基底的顶面上方并且弹性耦合到转子锚以便根据待检测量相对于基底执行惯性运动的惯性质量体；以及在相应定子锚处整体耦合到基底并且电容耦合到惯性质量体，以便响应于待检测量而生成指示待检测量的差分电容变化的定子电极。特别地，作为惯性运动，惯性质量体执行沿着正交于基底的顶面的竖直轴线的平移运动；并且定子电极以悬置方式布置在基底的顶面上方。
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公开(公告)号：CN113493186A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110295228.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
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公开(公告)号：CN108020686B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710459112.7
申请日：2017-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及具有改进配置的MEMS三轴加速度计。一种MEMS三轴加速度计设置有感测结构，感应结构具有：单个惯性质量块，惯性质量块具有在由第一和第二水平轴线限定的水平平面中的主延伸部并且在内部限定了第一窗口，第一窗口沿着与水平平面正交的垂直轴线而横贯惯性质量块的整个厚度；以及悬挂结构，悬挂结构被安排在窗口内以用于将惯性质量块弹性地联接至单个锚固元件，锚固元件相对于衬底被固定并且被安排在窗口内，使得惯性质量块悬挂在衬底上方并且能够通过惯性作用执行在检测到对应的加速度分量之后在与第一、第二和第三水平轴线平行的对应感测方向上的第一、第二和第三感测移动。
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公开(公告)号：CN112114163A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010570953.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的实施例涉及具有高耐粘滞性的MEMS惯性传感器。一种惯性结构通过第一弹性结构弹性耦合到支撑结构，从而根据待检测量沿着感测轴线移动。惯性结构包括第一惯性质量块和第二惯性质量块，第一惯性质量块和第二惯性质量块由第二弹性结构弹性耦合在一起，以使得第二惯性质量块能够沿着感测轴线移动。第一弹性结构具有比第二弹性结构的弹性常数低的弹性常数，从而使得在存在待检测量的情况下，惯性结构在感测方向上移动，直到第一惯性质量块抵靠在停止结构为止，并且第二弹性质量还可以在感测方向上移动。一旦结束检测量，第二惯性质量块就在与感测方向相对的方向上移动，并且使第一惯性质量块从停止结构分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106597014B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610857572.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及应力敏感性降低的微机电传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件，包括：具有在水平面中延伸的上表面的衬底；悬置在衬底的上方的惯性质量；弹性耦合元件，弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量，以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数；和感测电极，感测电极电容耦合到惯性质量，以便形成至少一个感测电容器，其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构，感测电极被刚性地耦合到悬置结构，并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构；悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。
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公开(公告)号：CN117990092A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311446195.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C21/16 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01C19/5656
Abstract: MEMS设备由衬底以及被悬挂在该衬底上的可移动结构形成。可移动结构具有第一质量块、第二质量块以及机械地耦合在第一质量块与第二质量块之间的第一弹性组。第一弹性组沿第一方向是柔顺的。第一质量块被配置为沿第一方向相对于衬底移动。MEMS设备还具有：第二弹性组，机械地耦合在衬底与可移动结构之间并且沿第一方向是柔顺的；以及锚定控制结构，被固定到衬底，电容性地耦合到第二质量块，并且被配置为沿第一方向在第二质量块上施加静电力。锚定控制结构控制MEMS设备处于第一操作状态，其中第二质量块沿第一方向相对于衬底自由移动，并且控制MEMS设备处于第二操作状态，其中锚定控制结构在第二质量块上施加将第二质量块锚定到锚定结构的拉入力。
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公开(公告)号：CN113375635B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110208300.9
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有减小的振动校正误差的MEMS测斜仪。该MEMS测斜仪包括基底、第一移动质量块和传感单元。传感单元包括第二移动质量块、多个弹性元件，弹性元件被插入在第二移动质量块与基底之间并且在与第一轴线平行的方向是柔顺的，以及多个弹性结构，多个弹性结构中的每个弹性结构被插入在第一移动质量块与第二移动质量块之间并且在与第一轴线和第二轴线平行的方向是柔顺的。传感单元进一步包括相对于基底固定的固定电极以及相对于第二移动质量块固定的移动电极，这形成了可变电容器。
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公开(公告)号：CN115700382A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210865253.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/14
Abstract: 本公开的各实施例涉及闭环微电子机械加速度计和制造微电子机械加速度计方法。闭环微电子机械加速度计包括半导体材料的衬底、面外感测块和反馈电极。半导体材料的面外感测块具有面向支撑体的第一侧和与第一侧相对的第二侧。面外感测块还被连接到支撑体以围绕非重心的支点轴线振荡，非重心的支点轴线振荡平行于第一侧和第二侧并且垂直于面外感测轴线。反馈电极电容性地耦合到感测块并且被配置为将相反的静电力施加于感测块。
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公开(公告)号：CN112213520B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011048545.1
申请日：2017-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了高准确度且对温度和老化具有低灵敏度的MEMS加速度传感器。一种加速度传感器，具有：悬置区域(21)，该悬置区域相对于支撑结构(24)可移动；以及感测组件(37)，该感测组件耦合至该悬置区域并且被配置成用于检测该悬置区域相对于该支撑结构的移动。该悬置区域(21)具有在与各自的质心相关联的彼此不同的至少两个构型之间可变的几何形状。该悬置区域(21)由可旋转地锚定至该支撑结构(24)的第一区域(22)以及通过弹性连接元件(25)耦合至该第一区域(22)的第二区域(23)形成，该弹性连接元件被配置成用于允许该第二区域(23)相对于该第一区域(22)相对移动。驱动组件(40)耦合至该第二区域(23)，以便控制该第二区域相对于该第一区域的相对移动。
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