公开(公告)号：CN108957942A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810479390.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  金昌俊 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/60 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明公开了一种相移空白掩膜和相移光掩膜，其包括位于透明衬底上的由硅(Si)或硅(Si)化合物制成并具有高透射率特性的相移膜。在根据本公开的相移空白掩膜中，相移膜具有50％以上的高透射率，由此获得小于或等于32nm、优选小于或等于14nm、更优选小于或等于10nm的半导体器件(例如DRAM、闪存、逻辑器件)用微图案。

公开(公告)号：CN112698545B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202011136791.2

申请日：2020-10-22

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/32

Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。

公开(公告)号：CN112782931B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

公开(公告)号：CN117891123A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310202890.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 金用大 ,  李锺华 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80

Abstract: 公开了一种用于EUV光刻的空白掩模，包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜及相移膜。所述相移膜包含含有铌(Nb)及铬(Cr)的第一层及含有钽(Ta)及矽(Si)的第二层。在所述第一层中，铌(Nb)的含量在20到50原子％范围内，且铬(Cr)的含量在10到40原子％范围内。所述空白掩模可实施极佳分辨率及NILS，且实施低DtC。

公开(公告)号：CN110456608B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN114200771A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011318624.X

申请日：2020-11-23

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 梁澈圭 ,  公拮寓

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/38

Abstract: 一种针对极紫外线的反射型空白掩模、其制造方法及光掩模。空白掩模包含衬底、堆叠于衬底上的反射膜以及堆叠于反射膜上的吸收膜。反射膜包含至少一个Mo/Si层和至少一个Ru/Si层，至少一个Mo/Si层包含Mo层和Si层，至少一个Ru/Si层包含Ru层和Si层。形成反射膜的相应层之间的相互扩散在具有反射膜的针对极紫外线的空白掩模中受到抑制。因此，改良空白掩模的反射率，且防止反射率由于制造之后的使用而减小，由此延长光掩模的寿命。

公开(公告)号：CN113227898A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN112782931A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

公开(公告)号：CN108957941A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。