公开(公告)号：CN114200769A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011322130.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 徐暻原 ,  公拮寓 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/38

Abstract: 一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬(Cr)和氧(O)的材料制成，且第二层由不含有氧(O)但含有铬(Cr)的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。

公开(公告)号：CN112782931B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

公开(公告)号：CN112782931A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011221137.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  公拮寓 ,  徐暻原

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。