一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法

    公开(公告)号:CN110190838A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201811482601.5

    申请日:2018-12-05

    Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑控制单元,驱动单元,短路保护单元以及漏极电压检测单元。本发明通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,当发生一类短路时,栅极将被钳位在较低的驱动电压,依据功率器件的输出特性,短路电流将被抑制,从而降低了短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。

    IGBT模块内部杂散电感测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN107102211A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201611267868.3

    申请日:2016-12-31

    CPC classification number: G01R27/26

    Abstract: 本发明涉及一种IGBT模块内部杂散电感测量装置,其特征在于,所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置,可控开关S1、S2、S3、直流电容C1、直流泄放电阻R1、负载电感L1和续流二极管D1,所述可控开关S2和直流泄放电阻R1串联,并与直流电容C1并联,续流二极管D1、可控开关S3与待测IGBT模块串联,脉冲触发装置连接可控开关S3,负载电感L1并联在续流二极管D1的两侧,该装置能够有效评估在IGBT模块关断暂态,内部封装寄生参数的感应电压,根据寄生电感两端的电压和电流计算出封装的杂散电感,更切合实际,可以用来评估IGBT安全裕量,同时也可以验证IGBT模块设计,对半导体厂商和IGBT应用方具有一定的意义。

    一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置

    公开(公告)号:CN111781482B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202010526758.4

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置,该方法包括建立SIC MOSFET模块Vpeak,sS健康参考值基准数据库;在关断瞬态,同时获取SIC MOSFET模块关断暂态漏极电流ID和SIC MOSFET模块辅助源极s、功率源极S之间的感应电动势VsS,并测量出该感应电动势VsS的峰值Vpeak,sS;将健康参考值Vpeak,sS健康与峰值Vpeak,sS进行比较,计算出偏差值;根据偏差值,判断SIC MOSFET模块键合线是否存在脱落故障。该方法实现了SIC MOSFET模块在线健康状态评估,能够有效避免因为键合线老化带来的安全问题,实现设备的可预测性维护。

    一种基于发射极功率端子温度的IGBT结温估算系统及方法

    公开(公告)号:CN111830389A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010765684.X

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明提供了一种基于发射极功率端子温度的IGBT结温估算系统及方法,该系统包括测温元件、温度采集电路、IGBT门极驱动器及主控制器,其中,测温元件用于测量IGBT功率发射极端子上的温度;IGBT门极驱动器包含门极驱动及保护电路和温度采集电路;门极驱动及保护电路主要用于功率器件IGBT的开关控制和短路保护;温度采集电路用于采集测温元件输出的IGBT功率发射极端子上的温度信号;主控制器用于向IGBT门极驱动器发送门极触发信号,同时接收IGBT门极驱动器传输的IGBT功率发射极端子上的温度信号,并根据IGBT功率发射极端子上的温度信号估算出IGBT结温。该发明实现了IGBT的过温保护,在控制器侧实现了IGBT温度估算。

    一种大功率NPC三电平逆变器功率模块电流在线检测方法

    公开(公告)号:CN109444621A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811163571.1

    申请日:2018-10-01

    Abstract: 本发明提供一种大功率NPC三电平逆变器功率模块电流在线检测方法,包括以下步骤:步骤一,检测每相正、负母线与负载电流,以及正、负母线电流变化速率;步骤二,统计单相电路存在的电流路径;步骤三,根据单相负载电流方向,建立单相拓扑中正、负母线和负载电流与4个IGBT模块和2个钳位二极管模块电流的关系模型;步骤四,将短路故障进行分类并统计单相电路可能发生的短路电流路径;步骤五,检测短路电流,根据检测电流的突变特性,建立短路电流路径识别规则;该检测方法简单,能够精确得出每个模块的开关瞬态电流,同时在逆变器发生短路故障时,检测系统能够迅速识别故障线路,提高短路故障诊断效率。

    一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统及诊断方法

    公开(公告)号:CN109061431A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810957220.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

    一种电流谐振式感应逆变装置

    公开(公告)号:CN102594194A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210055044.5

    申请日:2012-03-05

    Abstract: 本发明公开一种电流谐振式感应逆变装置,属于逆变设备技术领域,包括三相不可控整流电源,电解电容C1,不可控整流输出的正极端A、电解电容C1的正极端连接绝缘栅双极晶体管IGBT1和IGBT2的集电极,不可控整流电源的负极端B、电解电容C1的负极端连接绝缘栅双极晶体管IGBT3和IGBT4的发射极,绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极、绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接差模电感T1的输入端,绝缘栅双极晶体管IGBT2的发射极、绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接差模电感T1的另一输入端,差模电感T1的两个输入端为异名端,差模电感T1的两个输出端分别连接补偿电容C2和感应加热线圈T2的两端。有益效果是保证加热功率的同时简化电路结构,可以控制电源功率,进而实现温度的精确控制。

    一种多电机机群系统信息监控的装置及方法

    公开(公告)号:CN111092658A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201911400254.1

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种多电机机群系统信息监控的装置及方法,所述监控信息的装置包括多电机综合控制单元、多个电机控制单元及人机交互系统;所述主电机控制单元用于接收多电机综合控制单元指令信息,并将多个电机的设备实时信息传输至多电机综合控制单元;所述多电机综合控制单元用于接收近端运行指令或者远端控制指令,将指令信息发布至多个电机控制单元、将多个电机的设备实时信息发布至人机对话系统进行监控显示。该监控装置优化了监控信息处理流程,提高了监控信息处理的速率。

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