公开(公告)号：CN111781482B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202010526758.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司

Inventor： 谭国俊 ,  耿程飞 ,  朱春宇 ,  张经伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置，该方法包括建立SIC MOSFET模块Vpeak,sS健康参考值基准数据库；在关断瞬态，同时获取SIC MOSFET模块关断暂态漏极电流ID和SIC MOSFET模块辅助源极s、功率源极S之间的感应电动势VsS，并测量出该感应电动势VsS的峰值Vpeak,sS；将健康参考值Vpeak,sS健康与峰值Vpeak,sS进行比较，计算出偏差值；根据偏差值，判断SIC MOSFET模块键合线是否存在脱落故障。该方法实现了SIC MOSFET模块在线健康状态评估，能够有效避免因为键合线老化带来的安全问题，实现设备的可预测性维护。

公开(公告)号：CN111830389A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010765684.X

申请日：2020-07-31

Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司

Inventor： 谭国俊 ,  张经伟 ,  耿程飞 ,  封安波

IPC: G01R31/26 ,  H02H7/20

Abstract: 本发明提供了一种基于发射极功率端子温度的IGBT结温估算系统及方法，该系统包括测温元件、温度采集电路、IGBT门极驱动器及主控制器，其中，测温元件用于测量IGBT功率发射极端子上的温度；IGBT门极驱动器包含门极驱动及保护电路和温度采集电路;门极驱动及保护电路主要用于功率器件IGBT的开关控制和短路保护；温度采集电路用于采集测温元件输出的IGBT功率发射极端子上的温度信号;主控制器用于向IGBT门极驱动器发送门极触发信号，同时接收IGBT门极驱动器传输的IGBT功率发射极端子上的温度信号，并根据IGBT功率发射极端子上的温度信号估算出IGBT结温。该发明实现了IGBT的过温保护，在控制器侧实现了IGBT温度估算。

公开(公告)号：CN111781482A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010526758.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司

Inventor： 谭国俊 ,  耿程飞 ,  朱春宇 ,  张经伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种大功率SIC MOSFET模块键合线健康状态检测方法及装置，该方法包括建立SIC MOSFET模块Vpeak,sS健康参考值基准数据库；在关断瞬态，同时获取SIC MOSFET模块关断暂态漏极电流ID和SIC MOSFET模块辅助源极s、功率源极S之间的感应电动势VsS，并测量出该感应电动势VsS的峰值Vpeak,sS；将健康参考值Vpeak,sS健康与峰值Vpeak,sS进行比较，计算出偏差值；根据偏差值，判断SIC MOSFET模块键合线是否存在脱落故障。该方法实现了SIC MOSFET模块在线健康状态评估，能够有效避免因为键合线老化带来的安全问题，实现设备的可预测性维护。