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公开(公告)号：CN103012457B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201210392207.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/10 , C23C16/44 , C23C16/42 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C07F7/12 , C23C16/402 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X选自C1、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
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公开(公告)号：CN107406978A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680019197.0
申请日：2016-02-04
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了用于在沉积工艺中形成含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法，所述含硅膜例如是但不限于碳掺杂氧化硅膜、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面，所述组合物至少包含具有至少一个Si-C-Si键和选自卤素原子、氨基及其组合的至少一个锚定基团的环状碳硅烷。
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公开(公告)号：CN104271797B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380024294.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/02565 , H01L29/247 , H01L29/6675
Abstract: 本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质：密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm‑3或更低，通过紫外‑可见光分光光度计测量的在400‑700nm下的透光度为约90％或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116113725A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180062806.1
申请日：2021-07-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于(a)形成含硅膜和(b)将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面，提供了如本文所描述的式I的前体和/或式II的前体。
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公开(公告)号：CN115992345A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211551636.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/36 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN107312028B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201710325154.1
申请日：2012-09-27
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/12 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑pI其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
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公开(公告)号：CN115516129A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032535.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机氧化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含氢化二甲基烷氧基硅烷的气态组合物；以及在所述反应室中向包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物施加能量以诱导包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机氧化硅膜，其中所述有机氧化硅膜具有约2.70至约3.50的介电常数、约6至约36GPa的弹性模量，以及由XPS测得的约10至约36的原子％碳。
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公开(公告)号：CN114318299A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111618166.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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