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公开(公告)号：CN109417013A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780036469.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN108376657A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201711214844.6
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。
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公开(公告)号：CN207977299U
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201721619670.7
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 公开了用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207966931U
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201721619387.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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