公开(公告)号：CN101192516B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200710195484.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邱永男 ,  金以宽

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/268 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明公开了一种用于形成并处理包含硅和碳的外延层的方法。根据一个或多个实施方式，处理将外延层中的间隙碳转换为替代碳。特定的实施方式涉及在半导体器件中，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中外延层的形成和处理。在特定实施方式中，外延层的处理包含退火短时间周期，例如，通过激光退火、毫秒退火、快速热退火、瞬间退火及其组合。实施方式包括包含硅和碳的至少部分外延层的无定形化。

公开(公告)号：CN104599945B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201410771429.0

申请日：2007-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶祉渊 ,  安德鲁·拉姆 ,  金以宽

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明是公开一种形成含硅的外延层的方法。具体的实施例是关于半导体器件(例如金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET)中的外延层的形成与处理。在具体的实施例中，外延层的形成包括将处理室中的基材暴露给沉积气体，沉积气体包括二或更多个硅源，例如硅烷及包含新戊硅烷的高阶硅烷。实施例包括在形成外延层的过程中流入掺质来源(例如磷掺质)，并在没有磷掺质的情况下，继续以硅源气体进行沉积。

公开(公告)号：CN104599945A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410771429.0

申请日：2007-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶祉渊 ,  安德鲁·拉姆 ,  金以宽

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明是公开一种形成含硅的外延层的方法。具体的实施例是关于半导体器件(例如金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET)中的外延层的形成与处理。在具体的实施例中，外延层的形成包括将处理室中的基材暴露给沉积气体，沉积气体包括二或更多个硅源，例如硅烷及包含新戊硅烷的高阶硅烷。实施例包括在形成外延层的过程中流入掺质来源(例如磷掺质)，并在没有磷掺质的情况下，继续以硅源气体进行沉积。

公开(公告)号：CN103348445A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066837.0

申请日：2011-07-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶祉渊 ,  李学斌 ,  乔普拉·索拉布 ,  金以宽

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例大体上涉及用于在半导体器件上形成硅外延层的方法。这些方法包括在增加的压力与降低的温度下在衬底上形成硅外延层。所述硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度，并且不添加碳而形成所述硅外延层。每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度增加沉积层的拉伸应变，而因此所述磷浓度改善沟道迁移率。因为外延层实质上无碳，所以外延层不会遭受通常与含碳外延层有所关联的膜形成与质量问题。

公开(公告)号：CN102176411B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110079467.6

申请日：2005-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶志渊 ,  金以宽 ,  李小威 ,  阿里·朱耶基 ,  尼乔拉斯·C·达力鞑 ,  唐金松 ,  陈孝 ,  艾卡迪·V·塞蒙洛夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

Abstract: 在第一方面中，本发明提供一种在基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供了多种其它方面。