公开(公告)号：CN102176411B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110079467.6

申请日：2005-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶志渊 ,  金以宽 ,  李小威 ,  阿里·朱耶基 ,  尼乔拉斯·C·达力鞑 ,  唐金松 ,  陈孝 ,  艾卡迪·V·塞蒙洛夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

Abstract: 在第一方面中，本发明提供一种在基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供了多种其它方面。