公开(公告)号：CN102732857B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210163630.1

申请日：2008-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  托马斯·格瑞斯 ,  段仁官 ,  赛恩·撒奇

IPC: C23C16/44 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。

公开(公告)号：CN103436836A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310323450.X

申请日：2008-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  赛恩·撒奇 ,  吉姆·德姆普斯特 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  段仁官 ,  托马斯·格瑞斯 ,  贺小明 ,  元洁

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。

公开(公告)号：CN101772589B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880101675.8

申请日：2008-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  赛恩·撒奇 ,  吉姆·德姆普斯特 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  段仁官 ,  托马斯·格瑞斯 ,  贺小明 ,  元洁

IPC: C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。