公开(公告)号：CN112640047B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980057963.6

申请日：2019-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  阮鸿 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  刘风全 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。

公开(公告)号：CN116250090A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067592.7

申请日：2021-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  丽莎·J·恩曼 ,  拉克马尔•C•卡拉塔拉格 ,  马克•J•萨利

IPC: H01L33/00

Abstract: 从半导体基板蚀刻氧化镓的示例性方法可包括相对于氮化镓选择性蚀刻氧化镓。此方法可包括将反应物流入容纳半导体基板的基板处理区中。此反应物可包括氯化物与溴化物的至少一种。此方法可进一步包括使氧化镓的暴露区与来自此反应物的氯化物与溴化物的至少一种接触以形成含镓气体。通过以惰性气体净化此基板处理区可移除此含镓气体。此方法包括使此氧化镓的表面凹陷。此方法可包括重复的循环以达成期望深度。

公开(公告)号：CN112640047A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057963.6

申请日：2019-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  阮鸿 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  刘风全 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。