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公开(公告)号：CN116250090A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067592.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘风全 , 丽莎·J·恩曼 , 拉克马尔•C•卡拉塔拉格 , 马克•J•萨利
IPC: H01L33/00
Abstract: 从半导体基板蚀刻氧化镓的示例性方法可包括相对于氮化镓选择性蚀刻氧化镓。此方法可包括将反应物流入容纳半导体基板的基板处理区中。此反应物可包括氯化物与溴化物的至少一种。此方法可进一步包括使氧化镓的暴露区与来自此反应物的氯化物与溴化物的至少一种接触以形成含镓气体。通过以惰性气体净化此基板处理区可移除此含镓气体。此方法包括使此氧化镓的表面凹陷。此方法可包括重复的循环以达成期望深度。
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