用于通过激光束使半导体结晶化的方法

    公开(公告)号:CN100394541C

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200510079083.9

    申请日:2003-05-16

    Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种使半导体结晶化的方法,包括如下步骤:把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层,以使得该半导体层熔化和结晶化,其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上,相互平行地扫描该半导体层,并且被定位,使得它们的熔化轨迹相互重叠。

    用于通过激光束使半导体结晶化的装置

    公开(公告)号:CN100369190C

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200510079086.2

    申请日:2003-05-16

    Abstract: 一种使半导体结晶化的装置,包括至少一个激光源;用于把由激光源所发射的激光束分为多个子光束的光束分离装置;用于把子光束聚焦在基片上的无定形半导体上的至少一个聚焦光学系统;用于改变由该聚焦光学系统所形成的子光束的至少两个光点位置之间的距离的运动机构;用于把激光束转向到该聚焦光学系统的第一平面镜;以及被提供在该聚焦光学系统中以接收由第一平面镜所反射的子光束的第二平面镜,其中第一平面镜和第二平面镜之间的子光束与该运动机构的运动方向相平行。

    用于通过激光束使半导体结晶化的装置

    公开(公告)号:CN100369189C

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200510079084.3

    申请日:2003-05-16

    Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括激光源;用于支承包括无定形半导体的基片的平台;光学聚焦系统;以及所述平台包括平行放置并且同步地在第一方向上运动的第一台部件、置于第一台部件上方并且在与第一方向相垂直的第二方向上运动的第二台部件、可旋转地置于第二台部件上方的第三台部件,使得由激光源所发射的激光束通过该光学聚焦系统被照射到固定到第三台部件的基片上的半导体上,以使该半导体熔化和结晶化。

    用于通过激光束使半导体结晶化的方法

    公开(公告)号:CN100355018C

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200510079088.1

    申请日:2003-05-16

    Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种用于使半导体结晶化的方法,包括如下步骤:把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的半导体层上,以使该半导体层熔化和结晶化,其中由多个激光源发射的激光束所形成的多个光点在基片上的半导体层上至少部分地相互重叠。

    平板显示器以及制造平板显示器的方法

    公开(公告)号:CN1437171A

    公开(公告)日:2003-08-20

    申请号:CN02151369.4

    申请日:2002-11-21

    Inventor: 佐佐木伸夫

    CPC classification number: H01L21/02683 G02F1/1362 G02F1/1368 H01L21/2026

    Abstract: 本发明提供一种平板显示器以及制造该平板显示器的方法,其中,在用低温多晶硅制造工艺对在基板上形成的非晶硅层进行多晶化时,可提高多晶化的产能。四根门总线集中在垂直箭头所示的预定范围附近。该范围位于第二行像素和第三行像素之间边界的附近,并基本同等地在这些像素组中延伸。多个门总线和TFT中的每四个按行号顺序合并成一组,并且至少TFT集中在各个范围X内,范围X基本上在各个包括四行的像素组的中部延伸。

Patent Agency Ranking