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    记录介质和用于记录介质驱动的信号处理单元
    14.
    发明公开
    记录介质和用于记录介质驱动的信号处理单元 无效

    公开(公告)号：CN1938772A

    公开(公告)日：2007-03-28

    申请号：CN200480042787.2

    申请日：2004-06-09

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫

    IPC: G11B11/105

    CPC classification number: G11B11/10515

    Abstract: 本发明提供了记录介质和用于记录介质驱动的信号处理单元。在记录介质中的相位坑序列(21)上形成磁膜。根据磁化方向，在磁膜中建立记录标记(23)。利用激光束从相位坑序列(21)读出信息。还利用激光束基于记录标记(23)读出信息。记录标记(23)的最小标记尺寸(ML)被设置为大于相位坑序列(21)中的最小坑长度(PL)。与具有等于最小标记尺寸的最小坑长度的记录介质相比，该记录介质使得能够在基于记录标记读出信息的过程中使相位坑序列的影响最小化。在区分记录标记时，可以减小抖动。可以基于记录标记以足够的精度读出信息，即使当相位坑序列中的最小坑长度较小时。

    磁光记录介质和磁光记录装置
    15.
    发明公开
    磁光记录介质和磁光记录装置 无效

    公开(公告)号：CN1759443A

    公开(公告)日：2006-04-12

    申请号：CN03826136.7

    申请日：2003-03-12

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫

    IPC: G11B11/105

    CPC classification number: G11B11/10576 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10597

    Abstract: 一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射了偏振光方向的光束时的前述相位坑的调制度设为Y(％)时，其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向，满足以下条件：344X－8.12≥Y且Y≥286X－10.7，0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制为所期望的小于等于10％、且不发生裂纹、而重复记录特性也充分的磁光记录介质。

    记录介质及其制造方法
    16.
    发明公开
    记录介质及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1701368A

    公开(公告)日：2005-11-23

    申请号：CN03825342.9

    申请日：2003-05-23

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫 ,  相田智之

    IPC: G11B11/105 ,  G11B7/24

    CPC classification number: G11B7/266 ,  G11B11/1055 ,  G11B11/10584 ,  G11B23/40 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

    Abstract: 一种记录介质(11)，其包括用于保存数据的介质体(12)。第一印刷层(15)以第一厚度在介质体(12)的表面上延伸。第二印刷层(16)以大于第一厚度的第二厚度在介质体(12)的表面上延伸。印刷保护层(18)覆盖在介质体(12)表面上的第一和第二印刷层(15、16)上。印刷保护层(18)具有相对于介质体(12)的表面倾斜的倾斜表面(19)。将倾角设定为小于0.49e－0.20X，其中X[m/s]表示介质体(12)上的记录轨道与读写头之间、倾斜表面(19)与介质体(12)的表面之间的相对速度。倾角的设定使得读写头可以在印刷保护层(18)的表面上平稳地滑动。避免了读写头和印刷保护层(18)之间的碰撞。可以在读写头和记录介质(11)之间始终实现良好的相对运动。

    磁光记录介质及其制造方法以及磁光记录介质驱动器
    17.
    发明公开
    磁光记录介质及其制造方法以及磁光记录介质驱动器 无效

    公开(公告)号：CN1701367A

    公开(公告)日：2005-11-23

    申请号：CN03825227.9

    申请日：2003-05-23

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫 ,  相田智之 ,  芳贺英和

    IPC: G11B11/105 ,  G11B7/24

    CPC classification number: G11B11/10597 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10541 ,  G11B11/10584

    Abstract: 一种磁光盘(11)包含基板(12)。相槽(13)形成在基板(12)的表面上。基于相槽(13)记录RAM信息。底涂层膜(14)、磁记录膜(15)、涂层膜(17)和反射膜(18)覆盖在相槽(13)上。RAM信息记录在相槽(13)上方的磁记录膜(15)中。将基板(12)的第一和第二双折值之间的差设置成等于或者小于37nm。为单向穿过所述基板的光束测量第一双折射值，所述基板保持绕与该光束在所述基板上的投影处的相槽序列相切的切线相对于与该光束垂直的基准平面旋转20度倾斜角α的姿态。为单向穿过所述基板的光束测量第二双折射值，所述基板保持绕在包括垂直于所述相槽序列的方向上的基板表面的平面内延伸的直线相对于所述基准平面旋转20度倾斜角α的姿态。在ROM和RAM信息的读出中可以减小波动。

    光记录介质的制造方法及其制造装置
    18.
    发明公开
    光记录介质的制造方法及其制造装置 无效

    公开(公告)号：CN1689094A

    公开(公告)日：2005-10-26

    申请号：CN03824290.7

    申请日：2003-03-12

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫

    IPC: G11B11/105 ,  G11B7/26

    CPC classification number: G11B11/10593 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/266 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584

    Abstract: 本发明涉及一种光磁记录介质的制造方法，在所述光磁记录介质中，在基板上形成有光学相位凹坑，在该光学相位凹坑上形成光记录膜，该光磁记录介质可以同时再生相位凹坑信号和其上形成的记录膜信号。当通过溅射在所述基板上形成所述记录膜时，通过改变气压来调整相位凹坑的调制程度。这样，可以以低成本均匀地制造这样一种光存储介质，其RAM信号和相位凹坑信号的抖动被抑制到小于或等于目标的10％。

    多重记录介质和存储装置
    19.
    发明公开
    多重记录介质和存储装置 无效

    公开(公告)号：CN1669088A

    公开(公告)日：2005-09-14

    申请号：CN02829620.6

    申请日：2002-11-29

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 细川哲夫

    IPC: G11B27/00 ,  G11B27/034 ,  G11B20/10 ,  G11B20/12 ,  G11B7/30

    CPC classification number: G11B20/10 ,  G10H1/0041

    Abstract: 提供了一种记录有在同步再生内容时使用的混合信息的多重记录介质，和多重记录再生装置。只要把记录介质放入再生装置中即可自动地再现最优的设置。另外，即使再生装置改变，因为混合信息是记录在介质中的，所以可容易地欣赏到同步再生，而无需任何重新设置。此外，使用该多重记录再生装置，可在同步再生期间改变混合条件，或者将改变后的混合条件作为新的混合信息记录到RAM部中。从而，可以容易且廉价地实现过去仅由一些专业人员使用的虚拟对话功能和多重记录功能。

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