公开(公告)号：CN104106139A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008425.0

申请日：2013-04-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  武井学 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的非穿通(NPT)型IGBT(10)构成为：在n-半导体基板的背面设置有由p+集电极层(8)和集电极电极(9)形成的背面结构，在关断时从p基极区域(2)与n-漂移层(1)之间的pn结伸出的耗尽层不与p+集电极层(8)相接触。在该NPT型IGBT(10)中，关断过程中的从p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(第1pn结)(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如在0.3μm以下的区域的空穴电流的载流子浓度、与p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如为15μm的区域的累积载流子浓度之间的浓度差为30％～70％左右。由此，能够以低成本实现高速且低损耗的开关动作。

公开(公告)号：CN109473477B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201811042221.X

申请日：2018-09-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  大瀬直之 ,  原田信介 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

公开(公告)号：CN102804386B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201180007576.5

申请日：2011-01-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大西泰彦 ,  北村睦美 ,  杉祥夫 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: 平行p-n层（20）被设置为有源部分和n+漏区（11）之间的漂移层。平行p-n层（20）由反复交替接合的n型区（1）和p型区（2）构成。n型高浓度区（21）设置在n型区（1）的第一主表面侧。n型高浓度区（21）的杂质浓度高于设置在n型区（1）的第二主表面侧的n型低浓度区（22）的杂质浓度。n型高浓度区（21）的杂质浓度大于或等于n型低浓度区（22）的杂质浓度的1.2倍且小于或等于其3倍、优选大于或等于其1.5倍且小于或等于其2.5倍。同样，n型高浓度区（21）的厚度小于或等于n型区（1）中的与p型区（2）相邻的区域的厚度的1/3、优选大于或等于其1/8且小于或等于其1/4。

公开(公告)号：CN102804386A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180007576.5

申请日：2011-01-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大西泰彦 ,  北村睦美 ,  杉祥夫 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: 平行p-n层（20）被设置为有源部分和n+漏区（11）之间的漂移层。平行p-n层（20）由反复交替接合的n型区（1）和p型区（2）构成。n型高浓度区（21）设置在n型区（1）的第一主表面侧。n型高浓度区（21）的杂质浓度高于设置在n型区（1）的第二主表面侧的n型低浓度区（22）的杂质浓度。n型高浓度区（21）的杂质浓度大于或等于n型低浓度区（22）的杂质浓度的1.2倍且小于或等于其3倍、优选大于或等于其1.5倍且小于或等于其2.5倍。同样，n型高浓度区（21）的厚度小于或等于n型区（1）中的与p型区（2）相邻的区域的厚度的1/3、优选大于或等于其1/8且小于或等于其1/4。

公开(公告)号：CN101931007B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010207349.4

申请日：2010-06-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在活性区和终端区改变单位单元的间距的情况下在其过渡区的单位单元内实现电荷平衡，从而能够防止耐压降低。将过渡区(22)的p隔离区域的形状相对于活性区(21)和终端区(23)改变，在活性区(21)、过渡区(22)和终端区(23)的各p隔离区域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移区域(3)取得电荷平衡，由此实现防止耐压降低。