一种硒氧化铋纳米片的制备方法及基于其的异质结型光电极

    公开(公告)号:CN112588303B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202011322182.6

    申请日:2020-11-23

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋纳米片的制备方法及基于其的异质结型光电极,是通过改进Bi2O2Se纳米片的合成工艺,获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2O2Se纳米片,然后通过合适的工艺方法将其与WO3纳米板构建为异质结光电极,二者表现出极强的协同增效作用,所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2O2Se纳米片的制备方法与异质结的构建方法,都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

    一种高性能超级电容器电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107742588B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201711095557.8

    申请日:2017-11-09

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种高性能超级电容器电极的制备方法,其特征在于:首先通过水热法制备h‑MoO3纳米材料;然后对h‑MoO3纳米材料进行退火处理,即获得α‑MoO3纳米叠层材料;将所述的α‑MoO3纳米叠层材料作为活性物质,与导电物质和粘合剂混合制得超级电容器电极。本发明方法制备的MoO3电极,在电流密度为2Ag‑1时,比电容性能高达1417Fg‑1,比电容性能优异,是目前基于此材料在相同测试条件下公开报导的最高值;本发明方法制备的MoO3电极在10Ag‑1的电流密度下充放电2000次后,电容保持率为60%,电容保持率较高。

    NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用

    公开(公告)号:CN118969876B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411433963.0

    申请日:2024-10-15

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用,属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层,开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液,采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜,其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉,并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结,表现出优良的自供电光电探测性能,为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

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