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公开(公告)号：CN102224118B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980147322.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/20 , C04B35/457 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P11/008 , Y10T428/24355
Abstract: 一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2-bMg2SiO4-cMgTi2O5-dMgSiO3表示。上述组合式中的a、b、c及d(其中a、b、c及d是摩尔％)分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100。用于高频的电介质陶瓷组合物，相对介电常数εr是7.5～12.0、且Qm×fo值是50000(GHz)以上，并且谐振频率fo的温度系数τf的绝对值是30ppm/℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100532323C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580007069.6
申请日：2005-03-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/462 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , C01G23/002 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62897 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/129 , H01G4/30 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5-20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880-1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。
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公开(公告)号：CN1741975A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002832.1
申请日：2004-01-20
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明提供介质陶瓷组合物，通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结，其可以在约800－1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化，并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式：aZnAl2O4－bZn2SiO4－cTiO2－dZn2TiO4表示的主成分，所述介质陶瓷组合物含有5－150重量份的玻璃成分，其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔％，5.0≤b≤70.0摩尔％，5.0≤c≤27.5摩尔％，0≤d≤30.0摩尔％(a+b+c+d＝100摩尔％)。
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公开(公告)号：CN102224118A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147322.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/20 , C04B35/457 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P11/008 , Y10T428/24355
Abstract: 一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2-bMg2SiO4-cMgTi2O5-dMgSiO3表示。上述组合式中的a、b、c及d(其中a、b、c及d是摩尔％)分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100。用于高频的电介质陶瓷组合物，相对介电常数εr是7.5～12.0、且Qm×fo值是50000(GHz)以上，并且谐振频率fo的温度系数τf的绝对值是30ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN100378030C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200480013842.5
申请日：2004-05-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/462 , H01B3/12 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了层压陶瓷部件，其相对介电常数εr为15-25使得能形成具有合适尺寸，能在低于可通过同时烧结从而内封装并层压 Cu或 Ag 的低电阻导体的800-1000℃的温度下烧结，并具有低介电损耗tanδ(高Q值)，并且共振频率的温度系数τf绝对值不大于50ppm/℃。所述介质陶瓷组合物基于100重量份通式为x’Zn2TiO4-(1-x’-y’)ZnTiO3-y’TiO2的主成分，其中0.15＜x’＜0.8且0≤y’≤0.2，含有3-30重量份无铅低熔点玻璃，所述低熔点玻璃含有50-75重量%的 ZnO ，5-30重量%的 B2O3，6-15重量%的 SiO2，0.5-5重量%的 Al2O3，以及3-10重量%的 BaO 。
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公开(公告)号：CN101014549A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580007069.6
申请日：2005-03-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/462 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , C01G23/002 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62897 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/129 , H01G4/30 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5－20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880－1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。
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