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公开(公告)号：CN101080823A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043184.9
申请日：2005-12-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7792 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/584 , C04B35/653 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供光的透过性好、劣化少、能够控制为喜欢的色调、能够放出高亮度的光的光转换结构体及使用了该光转换结构体的发光装置。本发明的光转换结构体是具有由吸收第1光的一部分并发出第2光，同时透过上述第1光的一部分的陶瓷复合体构成的层，和在该陶瓷复合体的表面形成的，吸收上述第1光的一部分或上述第2光的一部分并发出第3光，同时透过上述第1光的一部分或第2光的一部分的色调控制用荧光体层的光转换结构体，上述陶瓷复合体由至少2个以上的金属氧化物相连续且三维地相互缠结而形成的凝固体构成，上述凝固体中的金属氧化物相中至少一个含有发荧光的金属元素氧化物。
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公开(公告)号：CN1738781A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002493.7
申请日：2004-01-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/107 , C04B35/44 , C09K11/08 , H01L33/00
CPC classification number: C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/652 , C04B35/653 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/445 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C09K11/0805 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 用于光转化的陶瓷复合材料，其是包括两种或者多种基体相的凝固体，基体相的各组分是两种或者多种选自金属氧化物和复氧化物中的氧化物，每种复氧化物由两种或者多种金属氧化物形成，其中，该基体相中至少有一种是含有已活化的氧化物的荧光体相。该凝固体优选的用单向凝固法获得。这种用于光转化的陶瓷复合材料在亮度，光混和性能，耐热性和抗紫外光性能上是优异的。
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公开(公告)号：CN101821356B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200880111063.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0826 , C01P2002/30 , C01P2002/54 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/60 , C04B35/597 , C04B35/6268 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/767 , C09K11/7734 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种可用于荧光显示管(VFD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)等的更高亮度的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体。通过把粒径2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、与金属Ln的氧化物或通过热解能形成氧化物的前体物质以成为通式Si6-zAlzOzN8-z：Lnx(式中，0＜z＜4.2，Ln为Eu)的方式进行混合，在0.05MPa以上100MPa以下的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧，可得到纵横比的平均值为小于1.5的新型高亮度β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末。
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公开(公告)号：CN101374926B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780003595.4
申请日：2007-02-01
Applicant: 宇部兴产株式会社
Inventor： 坂田信一
CPC classification number: C09K11/7734
Abstract: 本发明提供可以有利于工业地制造发光强度高的CaMgSi2O6:Eu2+蓝色发光荧光体的方法。该制造方法具有以下工序：将钙源粉末、铕源粉末、镁源粉末、而且由二亚胺硅粉末等构成的硅源粉末以生成CaMgSi2O6:Eu2+蓝色发光荧光体的比例混合，调制粉末混合物的工序；和使该粉末混合物在含氧气体的气氛气下、400～1000℃的温度下加热后，在还原性气氛气下、800～1500℃的温度下烧成的工序。
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公开(公告)号：CN102099436A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128263.8
申请日：2009-08-11
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7728 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , Y02B20/181
Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光体，所述荧光体以高荧光强度与蓝色LED组合，发出可以制作昼白色、日光色的白色发光二极管的荧光色，提供一种含Li的α-赛隆系荧光体，其由通式LixEuySi12-(m+n)Al(m+n)On+δN16-n-δ(式中，将Eu的平均价数设定为a时，x+ya+δ＝m；0.45≤x≤1.2、0.001≤y≤0.2、0.9≤m≤2.5、0.5≤n≤2.4、δ＞0。)表示。通过将扫描型电子显微镜照片进行图像解析而测量的一次粒子的平均长径比为2以下，平均粒径D颗粒为1μm以上3.0μm以下；通过将扫描型电子显微镜照片进行图像解析而测量的一次粒子的长径比为3以下，短轴的长度可以大于3μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100428511C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200580001246.X
申请日：2005-06-16
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种白色发光二极管器件，由发出400nm至419nm波长的紫色光的发光二极管元件和陶瓷复合体构成，该陶瓷复合体是用铈激活了的Y3Al5O12(Y3Al5O12:Ce)晶体和α型氧化铝(Al2O3)晶体连续地以三维方式排列并互相缠绕而存在的凝固体，具有对所述紫色光的一部分进行波长变换使之成为黄色光的荧光特性，同时具有透过所述紫色光的一部分的功能，通过将透过了所述陶瓷复合体的紫色光与由所述陶瓷复合体进行了波长变换的黄色光进行混合，模拟地发出白色光。
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公开(公告)号：CN101238595A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028839.X
申请日：2006-08-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/58 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , C09K11/7774 , H01L33/501 , H01L2224/10 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供发光二极管用基板，所述发光二极管用基板不使用荧光体粉末，可形成良好的发光二极管元件，劣化少，能透过发光二极管元件的光，以及利用一部分透光的光而发光，而且可混合透过的光和新发光的光而放出。本发明的发光二极管用基板为对可形成发光二极管元件的单晶层和光转换用陶瓷复合体层进行层合的发光二极管用基板，所述光转换用陶瓷复合体层由选自单一金属氧化物以及复合金属氧化物的至少2种以上的氧化物相连续地而且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成，其特征在于，该凝固体中的氧化物相中的至少一种含有发荧光的金属元素氧化物。
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公开(公告)号：CN101044635A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036032.6
申请日：2005-10-20
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C09K11/7774 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C30B11/00 , C30B29/28 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/501 , H01L33/502
Abstract: 本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件，其特征在于，上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成，该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物；上述半导体层由多个化合物半导体层构成，至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光，同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件。
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公开(公告)号：CN102099436B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200980128263.8
申请日：2009-08-11
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7728 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , Y02B20/181
Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光体，所述荧光体以高荧光强度与蓝色LED组合，发出可以制作昼白色、日光色的白色发光二极管的荧光色，提供一种含Li的α-赛隆系荧光体，其由通式LixEuySi12-(m+n)Al(m+n)On+δN16-n-δ(式中，将Eu的平均价数设定为a时，x+ya+δ＝m；0.45≤x≤1.2、0.001≤y≤0.2、0.9≤m≤2.5、0.5≤n≤2.4、δ＞0。)表示。通过将扫描型电子显微镜照片进行图像解析而测量的一次粒子的平均长径比为2以下，平均粒径D颗粒为1μm以上3.0μm以下；通过将扫描型电子显微镜照片进行图像解析而测量的一次粒子的长径比为3以下，短轴的长度可以大于3μm。
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公开(公告)号：CN102947417A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180017258.7
申请日：2011-03-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/08 , C04B35/653 , C09K11/80 , H01L33/48
CPC classification number: C09K11/7716 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/652 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H05B33/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种即使增加Gd或Ce的比例以将荧光的峰波长调整至长波长侧，也可维持高辐射通量(radiant flux)的光转换用陶瓷复合体、其制造方法、及具备其的发光装置。一种光转换用陶瓷复合体，具有至少第1相及第2相的2者所构成的相的氧化物相连续且三维地相互络合而成的组织且由特定的分子式所表示的组成物所构成的凝固体，前述第1相为会发荧光的Ce所活化的Y3Al5O12相、该第2相为Al2O3相，该凝固体的截面的97面积％以上为前述第1相及前述第2相；或者是前述第1相为Gd及会发荧光的Ce所活化的Y3Al5O12相、该第2相为Al2O3相，前述凝固体的截面的97面积％以上为前述第1相及前述第2相。
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