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公开(公告)号：CN114717539A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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公开(公告)号：CN112556921A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011241981.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多接头的真空检测装置和薄膜规真空度检测方法，可通过多个接头同时连接多个待测薄膜规进行检测，检测时，若标准真空测量仪器的测得值没变化表示所有薄膜规均合格，若有变化表示其中至少一个薄膜规不合格，从而可通过对半排查的方式确定不合格薄膜规；与现有技术中只能逐个检测的方式相比，检测效率更高，操作更方便，且该多接头的真空检测装置的结构简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN111884607A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN116412971A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310054355.8
申请日：2023-02-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G01M3/16
Abstract: 本发明提供了一种微波发生器，所述微波发生器包括磁控管、检测组件检测组件及水冷管路，所述检测组件检测组件与所述磁控管串联形成控制电路；所述水冷管路的一端与所述磁控管连接，另一端与外部供水接头连接；所述检测组件检测组件用于检测所述水冷管路的漏水状态，并根据所述漏水状态导通或关断所述控制电路。本发明技术方案在所述水冷管路底部安装所述检测组件检测组件，以检测所述水冷管路的漏水状态，并根据漏水状态自动控制整个所述控制电路的导通与关断，从而实现漏水检测以及自动关断的目的，避免因漏水引起的安全事故。
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公开(公告)号：CN115513073A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211473016.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/473 , H05K1/18 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件散热结构及其装配方法，属于电子器件领域，该散热结构无需直接对垂直焊接在电路板上的功率器件涂硅脂，而将硅脂印刷在用于传递热量的绝缘垫片的两面，厚度均匀可控，装配过程中保持功率器件和电路板的垂直关系，装配后，水冷板卧式放置且其上装配有金属底座，金属底座上设置有半开放凹槽，半开放凹槽内平放有两面均涂覆硅脂的绝缘垫片，半开放凹槽上悬设有压爪，功率器件夹在压爪与绝缘垫片之间，金属底座的侧部设置有连接电路板边角的安装部，一块水冷板上可以设置多个金属底座，即使应用于大尺寸的电路板，电路板之间可平行放置，不妨碍金属底座并排，有利于节约空间，同一水冷板上可实现多模块的组合装配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114544065B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
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公开(公告)号：CN111940252B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010751469.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于真空环境下回收粉末装置，包括可通过气体但粉末不能通过的粉末收集罐，所述粉末收集罐的气体入口与真空腔体连通，粉末收集罐的气体出口与抽真空装置连通：抽真空装置启动，使真空腔体内形成真空环境，对真空腔体内的芯片进行粉末喷涂，真空腔体内多余的粉末由于压力差被吸入到粉末收集罐内实现收集；本基于真空环境下回收粉末装置的结构简易，能在保持真空环境的同时对粉末尤其是荧光粉等纳米级粉末实现过滤回收；粉末收集罐内设置硫化过滤板，可以实现对纳米级粉末的有效过滤回收；本回收粉末装置无需其他外力，只需要真空泵抽真空时形成的压力差就可以把粉末带到粉末收集罐内，提高工作效率，节省能源。
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公开(公告)号：CN112834110A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011604898.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种高精度电容薄膜真空计，包括:壳体,具有一容置腔;两个感应膜片，平行地设置在所述容置腔中，并把所述容置腔分隔为参考真空室和两个待测腔室，且两个所述待测腔室分别位于所述参考真空室的两侧；两个所述待测腔室之间连通，且均与所述参考真空室隔离；连接管，与其中一个待测腔室连通；固定基板，设在所述参考真空室中并与两个所述感应膜片平行；固定基板的两侧分别设置有导电膜，所述固定基板两侧的导电膜分别与相邻的感应膜片组成电容器；该电容薄膜真空计的测量精度和灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN111020693B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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