公开(公告)号：CN103837288A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310588418.4

申请日：2013-11-21

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  X.丁 ,  S-H.S.陈 ,  J.弗里

IPC: G01L9/06

CPC classification number: G01L9/06 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0038 ,  G01L19/04 ,  G01L19/141 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及具有低热噪声的压阻式转换器。在膜片被定位成从管芯的中心偏置的MEMS压阻式压力转换器中，通过将惠斯通电桥电路定位成远离支承台座和管芯的最大区域，使在惠斯通电桥电路的输出中的热感生的热噪声得到降低。

公开(公告)号：CN102844650A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180017419.2

申请日：2011-03-22

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L9/00

Abstract: 在单个硅芯片中形成的双压阻式换能器阳极结合到支座。两个独立压力端口延伸通过塑料壳体。壳体内的端口开口由凹槽环绕，所述凹槽具有接收支座的形状和尺寸。薄液体粘结剂沉积到凹槽中且被允许变得水平。支座放置到粘结剂中且自己嵌入在其中。通过定尺寸凹槽和沉积填充凹槽但是在支座放置在其中时不溢流的粘结剂量，避免端口中的粘结剂溢流。一旦粘结剂固化，由于粘结剂相对于凹槽侧壁和支座侧壁剪切，粘结剂结合强度更大。带槽结构提供精确芯片安装和介质密封的设备和方法。

公开(公告)号：CN108700482B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680082401.3

申请日：2016-09-02

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： S-H.S.陈 ,  J-H.A.邱 ,  R.C.科斯伯格 ,  D.R.恩彭

IPC: G01L19/00 ,  G01L19/02 ,  G01L19/04 ,  G01L19/14 ,  G01L9/00 ,  B81B7/00

Abstract: 使用弹簧式波纹状物或蛇形锯齿状物将微机电系统（MEMS）压力感测元件悬挂在空腔内，这减小了所述感测元件上的热失配机械应力。用凝胶覆盖弹簧式结构和感测元件进一步减小了热失配应力和振动动态应力。

公开(公告)号：CN106052941B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201610217262.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  R.C.科斯伯格 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L9/06 ,  G01L19/00 ,  G01L19/14

Abstract: 在微机电系统(MEMS)压力传感器中，通过在MEMS压力感测元件上堆叠专用集成电路(ASIC)并且使用形成在ASIC中的导电过孔连接彼此，替换在现有技术中用于将MEMS压力感测元件连接到ASIC以用于在这两个芯片之间的输入和输出信号的细的并且容易坏的接合线。如果不再使用接合线，则能够消除用于保护接合线、ASIC和MEMS压力感测元件的凝胶。在MEMS压力感测元件上堆叠ASIC并且使用导电过孔连接它们实现放置并且保护该装置的壳体的尺寸和成本的减小。

公开(公告)号：CN106092429B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201610215271.8

申请日：2016-04-08

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： S-H.S.陈 ,  R.C.科斯伯格 ,  J-H.A.邱

IPC: G01L9/06 ,  G01L19/00 ,  G01L19/14

Abstract: 通过接合垫、导电过孔和互连件的对称分布以及通过消除在现有技术中用于将MEMS压力感测元件连接到专用集成电路(ASIC)的接合线，减少了微机电系统(MEMS)压力传感器中的电噪声和机械噪声。通过使用导电过孔将ASIC连接到MEMS压力感测元件，消除接合线。通过包围输出信号接合垫的导电环以及包围导电环和接合垫的导电环路，抑制无关电噪声。导电环和导电环路连接到固定电压或地电势。

公开(公告)号：CN107894294A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710899010.7

申请日：2017-09-28

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L1/18 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明涉及带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置。改进的微机电系统（MEMS）压力传感装置在硅支撑衬底的顶侧上具有扩展的浅多边形腔。二氧化硅埋层被形成在支撑衬底的顶侧与装置层的底侧之间。压电电阻器和结合片被形成并定位在装置层的顶侧上，并且响应对装置层施加的流体压力产生可测量的电压变化。扩展的浅多边形腔的目的在于在缩小MEMS压力传感装置芯片的芯片尺寸的时候改进灵敏度或增加量程、同时保持低的压力非线性，角部金属结合片具有排除距离以防止引线接合器弄坏薄膜。

公开(公告)号：CN105628288A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510831756.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L9/06

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/013 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054

Abstract: 公开了压阻式压力传感器设备。通过增加传感器的灵敏度来增加从低压力MEMS传感器输出的电压。通过使得低压力传感器设备的膜片变薄来增加灵敏度。通过同时在膜片的顶侧上产生交叉加固物来减少通过使得膜片变薄增加的非线性。顶侧的过蚀刻进一步增加灵敏度。

公开(公告)号：CN103226047A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310035555.5

申请日：2013-01-30

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.仇 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L1/18 ,  G01L19/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0019 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/032 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明涉及最小化热噪声的半导体传感器件。一种MEMS压力传感器被设计来减少或消除热噪声、诸如温度偏移电压输出。该压力传感器包括具有膜片以及腔的压力传感元件，所述腔被形成为压力传感元件的部分，其中所述腔容纳流体，使得膜片至少部分地偏转。该压力传感元件还包括多个压电电阻器，所述多个压电电阻器在工作中基于膜片中的偏转量来生成信号。至少一个沟槽被整体地形成为压力传感元件的部分，并且胶粘剂把压力传感元件连接到至少一个基板，使得胶粘剂的至少部分被附着到所述沟槽，并且将压力传感元件上的热感应应力重新分配，使得热感应噪声基本上被消除。