聚硅烷的制造方法
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1092215C

    公开(公告)日:2002-10-09

    申请号:CN97180726.4

    申请日:1997-12-26

    CPC classification number: C08G77/60

    Abstract: 一种聚硅烷的制造方法是通过使由通式(1)所表示的二卤代硅烷在非质子性溶剂中Li盐及金属卤化物共存下与Mg或者Mg合金作用,(式中,m为1-3;R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基;m=1时2个R、在m=2时4个R、在m=3时6个R可分别为同一种或者为二种以上不同的;X为卤素原子)形成由通式(2)所表示的聚硅烷,(式中,R与上述相同,n为2-1000)。

    空穴迁移材料
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1221498A

    公开(公告)日:1999-06-30

    申请号:CN97195222.1

    申请日:1997-06-06

    CPC classification number: C08G77/60 G03G5/078

    Abstract: 一种空穴迁移材料具有下式(1)或式(2)所代表的结构,并在成膜性和空穴迁移性方面是优异的。式(1)中R1是氢原子和烷基,R1可以是相同的或者其中至少两个可能彼此是不同的,n在10—20000之间。式(2)中R1是氢原子和烷基,R2和R3是氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基、和硅烷基,R1、R2和R3可以是相同的,或者其中至少两个是彼此不同的,1是一个正数,m是零或是一个正数,1+m=10—20000之间。

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